增强型AlGaN-GaN HEMT及其耐压结构研究.docxVIP

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2025-07-08 发布于北京
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增强型AlGaN-GaNHEMT及其耐压结构研究

增强型AlGaN-GaNHEMT及其耐压结构研究一、引言

随着现代电子技术的飞速发展，半导体器件在高性能、高效率、高集成度等方面不断追求突破。其中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其优异的电性能和耐高温特性，在电力电子、微波射频等领域有着广泛的应用。然而，传统HEMT的电压耐受能力有待提高，这对其在复杂电路环境中的应用构成了挑战。因此，本文旨在深入研究增强型AlGaN/GaNHEMT及其耐压结构，以提高其性能并拓宽其应用范围。

二、增强型AlGaN/GaNHEMT的研究

1.工作原理与结构特点

AlGaN/GaNH