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摘要
摘要
人工智能、柔性电子和生物电子技术的发展对信息存储和处理器件提出了新的
要求，开发高运行速度、高集成密度、可柔性的信息存储和处理器件迫在眉睫。忆
阻器具有结构简单、易于3D集成、材料选择范围广、高耐久性和低功耗等优点，
成为下一代信息存储和处理器件的有力候选者，特别是基于有机活性层材料的有机
忆阻器在可调性和实现柔性可穿戴器件方面具有更大的优势。但是，有机忆阻器大
多通过局部导电细丝的形成和破裂实现，导电细丝
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