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CN108630658B 半导体装置及其制造方法.docxVIP

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    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN108630658B(45)授权公告日2025.05.23

    (21)申请号201710508310.8

    (22)申请日2017.06.28

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108630658A

    (43)申请公布日2018.10.09

    (30)优先权数据

    15/465,3072017.03.21US

    (73)专利权人安靠科技新加坡控股私人有限公

    司

    地址新加坡

    (72)发明人韩意书李泰勇柳智妍

    (51)Int.CI.

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