扩散与离子注入.ppt

扩散与离子注入第1页，共28页，星期日，2025年，2月5日扩散:利用原子在高温下（900-1200℃）的扩散运动，杂质原子从浓度很高的杂质源向低浓度区扩散并形成一定的分布。离子注入：电离的杂质离子经几十至几百千伏的电压下进行加速，在获得较高速度后注入半导体内。掺杂工艺第2页，共28页，星期日，2025年，2月5日材料A材料B材料A材料B材料A材料B3.4.1扩散（70年代初期）1.扩散机理恒定的表面浓度：杂质为气相源杂质蒸汽（800℃～925℃）→硅表面→扩散到硅片内恒定的总掺杂剂量：首先在硅表面形成薄杂质层→扩散到硅片内第3页，共28页，星期日，2025年，2月5日（1）掺杂浓度不能超过半导体的固浓度。（2）较难得到轻微的杂质分布（3）横向扩散大约达到结深度80％的距离。使得最后的扩散区尺寸超过窗口尺寸。（4）900-1200℃高温下进行横向扩散扩散应用于n-subp-sub掺杂扩散特点：第4页，共28页，星期日，2025年，2月5日PSUBn+Substrate扩散第5页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.扩散设备与扩散源扩散设备：扩散炉扩散源：气态、液态——运输方便，纯度高固态第6页，共28页，星期日，2025年，2月5日立式扩散炉第7页，共28页，星期日，2025年，2月5日液态源液态源：磷扩散掺杂4POCl3+3O2→2P2O5+6ClP2O5+Si→4P+5SiO2(还原反应)N2→POCl3液瓶→POCl3气泡O2石英管内反应第8页，共28页，星期日，2025年，2月5日固态源气态源易挥发的固态源第9页，共28页，星期日，2025年，2月5日加工材料气态源液态源固态源（易挥发的氧化物或其他化合物）AsAsH3、AsF3砷玻璃AlAsO4PPH3、PF3POCl3BB2H6、BF3、BCl3BBr3BNSbSbH3SbCl3Sb2O3第10页，共28页，星期日，2025年，2月5日扩散浓度一方面决定于源的情况，当源足量时则决定于温度，因为杂质的固溶度决定杂质在半导体表面的浓度。3.准确控制浓度和深度扩散深度取决于扩散系数D和扩散时间tD=Doe-E/kT对于一定杂质在特定固体中激活能E和Do是一定的，所以D与T是指数上升关系。为了精确控制深度,精确控制温度(＜±0.5℃)十分重要。第11页，共28页，星期日，2025年，2月5日4.扩散的测量技术扩散结果扩散层的结深：化学染色后磨斜角（HF）条纹干涉方块电阻：探针技术杂质分布：C-V法第12页，共28页，星期日，2025年，2月5日3.4.2离子注入（70年代后）低温没有横向扩散掺杂剂量可以控制注入的深度可以控制（1）高温（2）不能超过杂质的固浓度（3）较难得到轻微的杂质分布（4）横向扩散扩散离子注入：电离的杂质离子经静电场（5-200keV)加速注入半导体内。使扩散第13页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.离子注入过程IonEatoms如果入射离子的速度方向与固体表面的夹角大于某一临界角，它将能够进入固体表面层，与固体中的原子发生一系列的弹性和非弹性碰撞，并不断地损失其能量。当入射离子的能量损失到某一定的值（约为20eV左右)时，将停止在固体中不再运动。上述过程被称为离子注入过程。a离子碰撞第14页，共28页，星期日，2025年，2月5日反弹注入溅射原子二次电子发射离子注入到晶圆内离子原子溅射二次电子反弹第15页，共28页，星期日，2025年，2月5日轻离子反弹经加速的离子碰撞晶圆靶面足够的重离子进入靶内，与原子和电子发生碰撞原子从晶格中脱离产生溅射现象晶格热振动使靶温度↑电子被激发到高能级，一段时间后回到基态弹性碰撞非弹性碰撞能量以光波形式释放二次电子发射注入离子能量减弱，一定深度后停止运动原子电子第16页，共28页，星期日，2025年，2月5日溅射现象当运动的原子运动到固体表面时，如果其能量大于表面的势垒，它将克服表面的束缚而飞出表面层，这就是溅射现象。溅射出来的粒子除了是原子外，也可以是原子团。溅射出来的原子进入鞘层后