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半导体异质结界面改性研究：SiOx层对BiFeO3Si电学特性的调控
目录
文档概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
1.2半导体异质结界面改性概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4
1.3BiFeO3Si材料特性及应用前景．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5
1.4本课题研究目标与主要内容．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8
SiOx层制备方法及其特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9
2.1SiOx薄膜沉积技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10
2.1.1化学气相沉积法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11
2.1.2氧化法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13
2.1.3其他沉积方法探讨．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14
2.2SiOx层结构表征．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17
2.2.1化学态分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．19
2.2.2晶体结构表征．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20
2.3SiOx层光电性能研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．21
2.3.1光学透过率特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22
2.3.2界面态密度分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．25
SiOx/BiFeO3Si异质结界面结构分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26
3.1界面形貌观察．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27
3.1.1扫描电子显微镜分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．28
3.1.2透射电子显微镜分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．29
3.2界面化学键合与元素分布．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30
3.2.1X射线光电子能谱分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．31
3.2.2原子力显微镜分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34
3.3界面原子级结构解析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．35
3.3.1高分辨率透射电子显微镜分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．37
3.3.2界面原子相互作用研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．38
SiOx层对BiFeO3Si电学特性的影响机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39
4.1界面势垒调控机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．40
4.1.1Schottky势垒高度分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．42
4.1.2界面能带结构变化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．44
4.2载流子输运特性研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．45
4.2.1漏电流机制分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．46
4.2.2载流子迁移率变化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．48
4.3界面缺陷与界面态作用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．49
4.3.1界面缺陷类型与密度．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．51
4.3.2界面态对电学性能的影响．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．52
SiOx层厚度及沉积条件对电学特性的调控．．．．．．．．．．．．．．．．．．．53
5.1SiOx层厚度依赖性研究．．．．．．．．．．．．．．
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