MoSe2@宽带隙半导体异质结的带隙工程及其光-物质耦合.docxVIP

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MoSe2@宽带隙半导体异质结的带隙工程及其光-物质耦合

一、引言

随着纳米技术的进步，二维材料在光电子学、光子学和电子学等领域的应用日益广泛。其中，MoSe2作为一种典型的二维过渡金属硫化物，因其独特的物理和化学性质，在半导体异质结领域展现出巨大的应用潜力。本文将重点探讨MoSe2与宽带隙半导体的异质结形成的带隙工程，并进一步分析其光-物质耦合特性。

二、MoSe2@宽带隙半导体异质结的带隙工程

MoSe2与宽带隙半导体形成异质结时，由于两种材料之间的能级差异，可以实现对带隙的调控。这种带隙工程不仅有助于优化光电器件的性能，还能为新型光电子器件的研发提供新的思路。

1.异质结的形成

MoS

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