基于WSe2和Ge雪崩光电探测器性能研究.docxVIP

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2025-07-12 发布于北京
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基于WSe2和Ge雪崩光电探测器性能研究.docx

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基于WSe2和Ge雪崩光电探测器性能研究

一、引言

光电探测器作为光子信息传输、处理与接收的重要器件，其性能的优劣直接关系到整个光电子系统的性能。近年来，二维材料（如WSe2）和Ge材料因其独特的物理和电学性质，在光电探测领域展现出巨大的应用潜力。本文将重点研究基于WSe2和Ge的雪崩光电探测器（APD）的性能，通过实验和理论分析，探讨其性能优化方向。

二、WSe2和Ge材料特性

WSe2是一种典型的二维过渡金属硫族化合物（TMDs），具有优良的光电性能、较高的载流子迁移率和较强的光吸收能力。而Ge材料作为传统光电探测器的主要材料，具有较好的光电转换效率和较高的响应速度。这两种材料的结合，有望