天津大学《测控电路基础A》课件-第三章.pptVIP

(3)平面型二极管(c)平面型(4)二极管的代表符号(symbol)anodecathode§3.3.1半导体二极管的结构往往用于集成电路制造艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。§3.3.2PN结的伏安特性正向特性反向特性反向击穿特性二极管的伏安特性(volt-amperecharacteristic)曲线的表示式：硅二极管2CP10的V-I特性§3.3.3二极管的参数1.最大整流电流IF二极管长期运行时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。3.反向电流IR指管子未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。§2.3.3二极管的参数4.二极管的极间电容（parasiticcapacitance）二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容(barrier（depletion）capacitance)CB和扩散电容(diffusioncapacitance)CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。§2.3.3二极管的参数4.二极管的极间电容扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。P+-NCB在高频和反向偏置时明显。CD在正向偏置时明显。§3.3.3二极管的参数5.微变电阻rDiDvDIDVDQ?iD?vDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。3.4二极管基本电路及其分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法3.4.2二极管电路的简化模型分析方法§3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.理想模型（idealdiode)vDiD当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此模型作近似分析。iDvD2.恒压降模型（offsetmodel)二极管导通后，认为其压降是恒定的，典型值为0.7V，只有当二极管的电流大于等于1mA时，才是正确的。vDiDvDiDVth§3.4.2二极管电路的简化模型分析方法3.折线模型(piecewiselineardiodemodel)认为其压降不是恒定的，而是随着二极管电流的增加而增加，用一个电池与一个电阻的串联来进一步的近似。rD近似为200Ω。vDiDVth≈0.5VvDVthrDiD§3.4.2二极管电路的简化模型分析方法4.小信号模型(smallsignalmodel)当二极管在其伏安特性的某一小范围内工作，可以把伏安特性看出一条直线。小信号模型的微变等效电阻rd＝26（mv）/ID。vDiDΔvDΔiDΔiDΔvDrD§3.4.2二极管电路的简化模型分析方法应用举例1.整流电路二极管当作理想元件处理，即二极管的正向导通电阻为零（忽略二极管正向压降），反向电阻为无穷大DRvOvs+-vsvO应用举例2.二极管的静态工作情况分析理想模型（R=10k?）（1）VDD=10V时恒压模型（硅二极管典型值）折线模型（硅二极管典型值）设（2）VDD=1V时（自看）+-iDVDDvDR3.限幅电路应用举例有一限幅电路如图所示，R=1k?，VREF=3V,二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解一下两问：（１）vI=0V、4V、6V时，求相应的输出电压vO的值；（２）当vI=６sinwt(V)时，绘出相应的输出电压波形．4.开关电路应用举例+5VvI1vI2VCC4.7k?vO5.低电压稳压电路6.小信号工作情况分析应用举例求?vD、?iDvi=0.1sin?tVVDD=5V，VD?0.7VID=(5-0.7)/5k=0.