《晶体三极管》课件.pptxVIP

1第2章晶体三极管概述2.1放大模式下晶体三极管的工作原理2.2晶体三极管的其他工作模式2.3埃伯尔斯—莫尔模型2.4晶体三极管伏安特性曲线2.5晶体三极管小信号电路模型2.6晶体三极管电路分析方法2.7晶体三极管的应用原理

2三极管图片

第2章晶体三极管3概述三极管结构及电路符号发射极E基极BPNN+集电极C发射极E基极BNPP+集电极C发射结集电结主要特性：在满足内部结构的基础上，与工作模式有关。BCENPNTBCEPNPT

第2章晶体三极管4三极管三种工作模式发射结正偏，集电结反偏。放大模式：发射结正偏，集电结正偏。饱和模式：发射结反偏，集电结反偏。截止模式：注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。三极管内部结构特点1)发射区高掺杂：以提供足够多的载流子。2)基区很薄：以便于载流子通过。3)集电结面积大：以利于载流子的收集。正向受控作用受控开关特性

第2章晶体三极管52.1放大模式下三极管工作原理内部载流子传输过程PNN+-+-+V1V2R2R1IEnIEpIBBICnICBOIEIE=IEn+IEpICIC=ICn+ICBOIBIB=IEp+IBB-ICBO=IEp+(IEn-ICn)-ICBO=IE-IC

第2章晶体三极管6发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。发射区掺杂浓度基区掺杂浓度：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。集电结反偏且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。只有发射区中的多子通过发射、复合和收集而将电流IEn转化为ICn，形成正向受控作用；其他电流则为寄生电流。

第2章晶体三极管7三极管特性——具有正向受控作用即三极管输出的集电极电流IC，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。V1NPP+PNN+V2V2V1+-+--+-+IEICIBIEICIB

第2章晶体三极管8观察输入信号作用在哪个电极上，输出信号从哪个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。电流传输方程三极管的三种连接方式——三种组态BCEBTICIEECBETICIBCEBCTIEIB(共发射极)(共基极)(共集电极)放大电路的组态是针对交流信号而言的。

第2章晶体三极管9共基极直流电流传输方程BCEBTICIE直流电流传输系数：直流电流传输方程：共发射极直流电流传输方程ECBETICIB直流电流传输方程：

的物理含义：?表示，受发射结电压控制的电流成分IB+ICBO，对集电极正向受控电流ICn=IC-ICBO的控制能力。?若忽略ICBO，则：ECBETICIB?可见，为共发射极电流放大系数。第2章晶体三极管

第2章晶体三极管11ICEO的物理含义：ICEO指基极开路时，集电极直通到发射极的电流。因为IB=0IEPICBOICnIEn+_VCENPN+CBEICEOIB=0所以IEp+(IEn-ICn)=IE-ICn=ICBO因此IB=IEp+IBB-ICBO=IEp+(IEn-ICn)-ICBO=IE-IC

放大模式下三极管的模型12三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式：数学模型(指数模型)IS指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流IS。式中第2章晶体三极管

第2章晶体三极管13放大模式直流简化电路模型ECBETICIB共发射极VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取：硅管VBE(on)=0.7V锗管VBE(on)=0.25V电路模型VBE+-ECBEICIBIB?VCE+-直流简化电路模型VBE(on)ECBEICIBIB?+-+-VCE

14三极管参数的温度特性温度每升高1?C，??/?增大0.5%?1%，即温度每升高1?C，VBE(o