《华中科技大学》模拟电子技术模电复习大纲.pptxVIP

模拟电子技术基础复习大纲高等教育出版社康华光

?小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。?大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如，vce、ib等。?上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如，、等。书中有关符号的约定

第一章绪论电压放大模型1.输入电阻反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。输入电压信号，越大，越大。输入电流信号，越小，越大。

2.输出电阻决定放大电路带负载能力。输出电压信号时，越小（相对），对影响越小，输出电流信号时，越大（相对），对影响越小。输出电阻的计算：

3、频率响应上、下限频率；带宽频率失真（线性失真）P196题幅度失真相位失真非正弦信号非线性失真饱和失真截止失真正弦信号

第三章二极管及其基本电路1、理解半导体中有两种载流子电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体本征激发的特点——两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关导电能力随温度增加显著增加

N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

4、熟练掌握PN结形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。单向导电性——不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）特性曲线：正向导通：死区、导通区反向截止：截止区、击穿区

单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、极间电容、最高工作频率分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。二极管电路的分析计算：5、理解二极管

1特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）2反向偏置且VI＞VZ3稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定参数：VZ、IZ、PZM、rZ4习题；；；

第四章双极型三极管及放大电路基础理解半导体三极管类型：结构、材料硅管（VBE=0.7V）、锗管（VBE=0.2V）

②电流控制器件iC=βiBiE=(1+β)iBiB+iC=iE③三个工作区特性曲线输入：输出：饱和区：发射结、集电结均正偏，VBE=0.7V,VCES=0.3V放大区:发一正,集一反,VBE=0.7遵循iC=βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE＜0.5V时已进入截止区

④放大条件发射极正偏,集电极反偏发射区