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存储器实验总结与分析

一、实验背景与目的

在计算机系统中，存储器是至关重要的组成部分，它负责存储程序和数据。本次存储器实验旨在深入理解不同类型存储器的工作原理、特性以及它们在计算机系统中的应用。通过实际操作和测试，掌握存储器的读写操作、地址译码、片选控制等关键技术，同时学会使用硬件描述语言（如Verilog）进行存储器的设计与仿真，为后续进行更复杂的计算机系统设计奠定坚实的基础。

二、实验环境与设备

本次实验主要基于数字电路实验平台，使用的软件工具为ModelSim仿真软件和QuartusII开发环境。硬件设备包括FPGA开发板（型号为CycloneIVEP4CE115F29C7）、逻辑分析仪等。实验中所用到的开发板提供了丰富的接口资源，能够方便地进行存储器的连接和测试，而ModelSim和QuartusII则为代码的编写、编译、仿真和下载提供了强大的支持。

三、实验内容与步骤

（一）SRAM存储器实验

1.原理学习

SRAM（静态随机存取存储器）是一种基于触发器的存储器，具有读写速度快、无需刷新等优点。在实验前，我们详细学习了SRAM的工作原理，包括地址线、数据线、读写控制线和片选线的功能。SRAM通过地址线选择存储单元，数据线进行数据的读写操作，读写控制线控制读写方向，片选线则用于选择该芯片是否工作。

2.硬件连接

将SRAM芯片（型号为IS62LV25616）与FPGA开发板进行连接。按照芯片手册的引脚定义，连接地址线（A0-A17）、数据线（D0-D15）、读写控制线（WE、OE）和片选线（CS）。同时，连接电源和地，确保芯片正常工作。

3.Verilog代码编写

使用Verilog硬件描述语言编写SRAM的读写控制代码。以下是一个简单的SRAM读写控制模块的示例：

```verilog

modulesram_controller(

inputwireclk,

inputwirerst_n,

inputwire[17:0]addr,

inputwire[15:0]data_in,

inputwirewe,

outputreg[15:0]data_out

);

reg[15:0]sram[0:262143];//256Kx16位SRAM

always@(posedgeclkornegedgerst_n)begin

if(!rst_n)begin

data_out=16b0;

endelseif(we)begin

sram[addr]=data_in;

endelsebegin

data_out=sram[addr];

end

end

endmodule

```

该模块实现了SRAM的基本读写功能，通过时钟信号和复位信号进行控制。当写使能信号`we`为高电平时，将输入数据写入指定地址的存储单元；当`we`为低电平时，从指定地址的存储单元读取数据。

4.仿真与调试

使用ModelSim对编写的Verilog代码进行仿真。编写测试平台代码，生成时钟信号、复位信号、地址信号、数据信号和读写控制信号，对SRAM的读写功能进行测试。通过观察仿真波形，检查数据的读写是否正确。在调试过程中，发现了一些时序问题，通过调整代码中的延迟和时钟频率，最终解决了问题。

5.下载与测试

将经过仿真验证的代码下载到FPGA开发板上。使用逻辑分析仪观察SRAM的地址线、数据线和控制线的信号波形，验证SRAM的实际读写功能。通过向SRAM写入不同的数据，然后读取出来进行比较，确保数据的读写操作正确无误。

（二）Flash存储器实验

1.原理学习

Flash存储器是一种非易失性存储器，具有大容量、低成本等优点。与SRAM不同，Flash存储器的读写操作需要特定的命令序列。我们学习了Flash存储器的擦除、编程和读取操作的命令格式和时序要求。

2.硬件连接

将Flash芯片（型号为W25Q128）与FPGA开发板进行连接。连接SPI接口的时钟线（SCK）、数据线（MOSI、MISO）、片选线（CS），以及电源和地。

3.Verilog代码编写

使用Verilog编写Flash存储器的读写控制代码。以下是一个简单的Flash读取操作的代码示例：

```verilog

moduleflash_reader(

inputwireclk,

inputwirerst_n,

inputwire[23