【实用资料】陶瓷烧结过程PPT.pptxVIP

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陶瓷烧结过程;烧结的驱动力;烧结过程;烧结方法;常压烧结;窑炉类型;电炉发热体;钟罩窑、梭式窑;辊道窑、推板窑;隧道窑;促进烧结的方法;真空烧结、气氛烧结;氮化硅陶瓷的无压烧结;氮化硅的气压烧结

(GasPressureSinteringGPS);硅碳棒,SiC(1400C)

烧成制度:各阶段温度点、升温速度、保温时间、降温速度

以高压气体作为压力介质作用于陶瓷材料(包封的粉体和素坯,或烧结体),使其在高温环境下受到等静压而达到高致密化

在大气环境下,仅通过加热使陶瓷烧结的方法。

对于氮化硅常压烧成温度要低于1800C,而气压烧结温度可提高到2100-2390C。

加热的同时施加机械压力,增加烧结驱动力,促进烧结

管式气氛炉:电热丝、硅碳、硅钼

氮化硅的气压烧结

(GasPressureSinteringGPS)

对于氮化硅常压烧成温度要低于1800C,而气压烧结温度可提高到2100-2390C。

为了抑制氮化物分解,在N2气压力1-10MPa高压下烧成。

以高压气体作为压力介质作用于陶瓷材料(包封的粉体和素坯,或烧结体),使其在高温环境下受到等静压而达到高致密化

粉体表面能与界面能的差

在大气环境下,仅通过加热使陶瓷烧结的方法。

真空电阻炉:钨丝或石墨发热体(2000、2300C、可高真空、可通惰性保护气体N2、Ar)

加热的同时施加机械压力,增加烧结驱动力,促进烧结

微波透过材料(无吸收):石英玻璃、云母、聚四氟乙烯;热等静压

(HotIsostaticPressing,HIP);热等静压

(HotIsostaticPressing,HIP)

热等静压

(HotIsostaticPressing,HIP)

加热的同时施加机械压力,增加烧结驱动力,促进烧结

氧化锆,(2000C)

管式气氛炉:电热丝、硅碳、硅钼

微波透过材料(无吸收):石英玻璃、云母、聚四氟乙烯

以高压气体作为压力介质作用于陶瓷材料(包封的粉体和素坯,或烧结体),使其在高温环境下受到等静压而达到高致密化

微波透过材料(无吸收):石英玻璃、云母、聚四氟乙烯

能形成液相的氧化物烧结助剂(Y2O3-Al2O3,MgO-Al2O3-SiO2)

微波透过材料(无吸收):石英玻璃、云母、聚四氟乙烯

加热的同时施加机械压力,增加烧结驱动力,促进烧结

氮化硅无熔点、高温分解(1900C)

热等静压

(HotIsostaticPressing,HIP)

粉体颗粒间的粘接、致密化

降低烧成温度、缩短烧成时间;材料与微波的相互作用;材料与微波的相互作用;放电等离子烧结

(SparkPlasmaSintering,SPS);放电等离子烧结原理;其他烧结方法;谢谢观看!;感谢观看

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