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双端输入，共模信号为：vi1=vi2=vic交流通路:?电流源IO?+VCC、-VEE交流短接电流源内阻ro等效变换电路：2.共模电压增益c1c2第30页，共61页，星期日，2025年，2月5日(1)双入双出AVCvi1=vi2=viC
T1、T2电路对称vO1=vO2vO=vO1-vO2=0=0结论：
?双入双出时差放抑制零漂能力最强
第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日(2)双入单出AVCvi1=vi2=vicvO=vO1第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.单端输入差分式放大电路：结果自行分析P266第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日（3）共模抑制比双端输出，理想情况单端输出抑制零漂能力越强6.2.1基本差分式放大电路4.主要指标计算第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日6.2.1基本差分式放大电路(1)差模电压放大倍数与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关：差动放大器动态参数计算总结双端输出时：单端输出时：(2)共模电压放大倍数与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关：双端输出时：单端输出时：第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日6.2.1基本差分式放大电路(3)差模输入电阻不论是单端输入还是双端输入，差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。beid2rR=单端输出时，双端输出时，(5)共模抑制比第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日讨论：?单端输出：KCMR共模抑制能力ro?双端输出：共模抑制能力最强；提高电路的KCMR重要因素：
?保证电路的对称性；
?保证足够大的发射极电阻ro第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日6.2.3FET差分式放大电路：P272，自学6.2.4差分式放大电路传输特性：P277，自学第38页，共61页，星期日，2025年，2月5日讨论1:差分式放大电路实例恒流源IE=(VZ-VBE3)/ReIC3=(UR2-VBE3)/Re第39页，共61页，星期日，2025年，2月5日讨论2:设β1=β2=β3=β4=100，VBE1=VBE2=0.7V，VBE3=VBE4=0.6V。求静态时VCE1解：镜像电流源VCE1=2.6V第40页，共61页，星期日，2025年，2月5日6.4.1CMOSMC14573集成电路运算放大器6.4集成电路运算放大器自学了解第41页，共61页，星期日，2025年，2月5日6.4.2概述集成电路运算放大电路内部组成原理框图第42页，共61页，星期日，2025年，2月5日6.4.2概述＋－u-－u+uo－＋＋?∞反相输入端u－同相输入端u+输出端uo国际符号：国内符号：集成运放的特点：电压增益高输出电阻小输入电阻大第43页，共61页，星期日，2025年，2月5日第1页，共61页，星期日，2025年，2月5日6.1电流源6.2差分式放大电路6.3集成电路运算放大器6.4集成电路运算放大器的主要参数6集成电路运算放大器6.0概述第2页，共61页，星期日，2025年，2月5日一、集成电路(integratedcircuit)：
在半导体制造工艺基础上，把整个电路中的器件（电阻、电容、三极管等）制造在一块Si基片上，并引出相应的引线，构成特定功能的电子电路。
如：运放、各种芯片等。概述第3页，共61页，星期日，2025年，2月5日二、按功能分类：模拟集成电路数字集成电路三、集成度：小规模集成电路（SSI）102中规模集成电路（MSI）103大规模集成电路（LSI）105、超大规模集成电路（VLSI）105、
(如：CPU310万---330万)Intel奔腾4第4页，共61页，星期日，2025年，2月5日6集成电路运算放大器集成电路的工艺特点：6.0概述（5）不能制造电感，如需电感，也只能外接。（4）只能制作几十pF以下的小电容。因此，集成放大器都采用直
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