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碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）标准发展报告

DevelopmentReportontheStandardforDeterminationofSurfaceImpurityElementsinSiliconCarbideWafersbyInductivelyCoupledPlasmaMassSpectrometry(ICP-MS)

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，因其优异的物理特性（如高击穿电压、高热导率、高电子迁移率等）在大功率、高温、高频电子器件领域具有重要应用价值。然而，SiC晶片在生产过程中易受表面杂质污染，如金属（Na、Al、Fe等）和非金属（B、P等）元素，这些杂质会严重影响器件的电学性能和可靠性。因此，建立一种高灵敏度、高准确度的表面杂质元素检测方法至关重要。

本报告围绕《碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》标准的立项背景、技术内容及行业意义展开分析。该标准采用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS），结合直接酸滴提取技术，可精确测定SiC晶片表面痕量金属（10?~1012cm?2）和非金属元素含量，为SiC材料质量控制提供科学依据。该方法的建立将推动SiC半导体产业的标准化进程，提升产品良率，降低生产成本，助力我国宽禁带半导体技术的发展。

关键词：碳化硅晶片、表面杂质、电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）、痕量分析、半导体材料

Keywords:SiliconCarbideWafer,SurfaceImpurities,ICP-MS,TraceAnalysis,SemiconductorMaterials

正文

1.研究背景与目的意义

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，具有宽禁带（~3.3eV）、高击穿电场（~3MV/cm）、高热导率（4.9W/cm·K）等优异特性，使其在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域具有广阔应用前景。然而，SiC晶片在制造过程中易受表面污染，如：

-金属污染（Hg、Fe、Cu等）可能来自探针测试（如汞探针C-V法）或加工设备；

-非金属污染（B、P等）可能影响外延生长质量。

这些杂质会导致器件漏电流增大、击穿电压降低，甚至引发失效。因此，建立高精度、高灵敏度的表面杂质检测方法对SiC材料及器件的质量控制至关重要。

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）具有检测限低（ppb~ppt级）、多元素同时分析等优势，适用于SiC晶片表面痕量杂质的测定。本标准的制定将填补国内SiC材料表面杂质检测标准的空白，推动行业规范化发展。

2.标准范围与主要技术内容

2.1适用范围

本标准适用于：

-SiC单晶抛光片（4H-SiC、6H-SiC等）表面金属元素（Na、Al、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ag、W、Au、Hg等）的测定；

-SiC外延片表面非金属元素（B、P）的测定；

-检测限范围：10?~1012cm?2。

2.2方法原理

1.样品前处理：采用直接酸滴提取法（如HNO?/HF混合酸）溶解晶片表面杂质，避免基体干扰。

2.ICP-MS分析：

-样品溶液经雾化后进入等离子体（~7000K），元素被离子化；

-离子经四极杆质量分析器按质荷比（m/z）分离；

-检测器采集信号，通过标准曲线法定量。

3.数据处理：计算单位面积杂质含量（atoms/cm2），确保数据可比性。

2.3技术创新点

-高灵敏度：ICP-MS可检测ppt级杂质，优于传统AAS、ICP-OES；

-多元素同时分析：单次进样可测定20+种元素，提升检测效率；

-标准化前处理：优化酸滴提取参数，减少基体效应。

3.主要参与单位介绍

中国电子技术标准化研究院（CESI）

作为本标准的主要起草单位，CESI是我国电子信息产业标准化的核心机构，长期致力于半导体材料、器件及测试方法的标准化研究。在宽禁带半导体领域，CESI已牵头制定多项SiC相关标准，如《碳化硅单晶抛光片规范》（GB/TXXXXX-202X）。本次ICP-MS标准的制定，进一步体现了CESI在半导体检测技术标准化方面的领先地位。

4.结论与展望

本标准的制定为SiC晶片表面杂质检测提供了科学、统一的方法，有助于：

-提升产品质量：减少杂质污染导致的器件失效；

-优化生产工艺：指导晶片清洗、加工工艺改进；

-推动国产化进程：助力我国SiC产业链自主可控。

未来，随着SiC器件向更高功率密度发展，表面杂质控制将更加严格。建议：

1.拓展标准适用范围（如SiC功率模块封装材料）；

2.开发自动化前处理技术，提高检测效率；

3.