晶体生长和外延.pptVIP

晶体特性－晶体缺陷点缺陷－替代、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。第31页，共47页，星期日，2025年，2月5日线缺陷，亦称位错－刃形和螺旋。第32页，共47页，星期日，2025年，2月5日面缺陷－孪晶和晶粒间界。反映孪晶旋转孪晶小角度晶界第33页，共47页，星期日，2025年，2月5日现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延*晶体生长和外延第1页，共47页，星期日，2025年，2月5日晶体生长与外延对分立器件而言，最重要的半导体是硅和砷化镓。本小节主要讨论这两种半导体单晶最常用的技术。一种是单晶生长，获得高质量的衬底材料；另外一种时“外延生长”，即在单晶衬底上生长另一层单晶半导体（同质或异质材料）。起始材料多晶半导体单晶晶片SiSiO2GaAsGa，As蒸馏与还原合成晶体生长晶体生长研磨、切割抛光研磨、切割抛光从原料到磨光晶片的制造流程第2页，共47页，星期日，2025年，2月5日CZ法生长单晶硅－起始材料高纯度的硅砂与不同形式的炭（煤、焦炭、木片）放入炉中，产生反应此步骤获得冶金级硅，纯度98%，然后与HCl反应SiHCl3沸点32度，分馏提纯，得到电子级硅第3页，共47页，星期日，2025年，2月5日Cz直拉法第4页，共47页，星期日，2025年，2月5日第5页，共47页，星期日，2025年，2月5日掺杂物质的分布由于晶体是从融体中拉出来的，混合在晶体中（固态）的掺杂浓度通常和在界面出的融体（液体）中的是不同的，此两种状态下的掺杂浓度的比例定义为平衡分凝系数Cs和Cl分别是在固态和液体界面附近的平衡掺杂浓度。(1)第6页，共47页，星期日，2025年，2月5日第7页，共47页，星期日，2025年，2月5日融体的初始重量为M0，初始掺杂浓度为C0（每克的融体中掺杂的重量）。生长过程中，当已生长晶体的重量为M时，留在融体中的掺杂数量（重量）为S。当晶体增加dM的重量，融体相对应减少的掺杂（－dS）为Cs为晶体中的掺杂浓度（重量表示）。此时液体中剩下的重量为M0－M，液体中的掺杂浓度Cl(2)(3)第8页，共47页，星期日，2025年，2月5日结合（2）、（3），将（1）代入可得若初始掺杂重量为C0M0，积分（4）可得(4)(5)解出（5）式，且结合（3）式可得(6)第9页，共47页，星期日，2025年，2月5日第10页，共47页，星期日，2025年，2月5日有效分凝系数当晶体生长时，掺杂剂会持续不断地被排斥而留在融体中(K01)。如果排斥率比参杂的扩散或搅动而产生的传送率高时，在界面的地方会有浓度梯度产生，如图所示。其分凝系数为第11页，共47页，星期日，2025年，2月5日定义一有效分凝系数考虑一小段宽度为δ几乎粘滞的融体层，层内只有因拉出需要补充融体而产生的流动。层外参杂浓度为常数Cl，层内参杂浓度可用第3章的连续性方程式来表示。在稳态式，右边第二项、第三项是有意义的(C代替np，v代替μnE)解为第12页，共47页，星期日，2025年，2月5日第一个边界条件是在x＝0时，C＝Cl(0)；第二个边界条件式所有掺杂总数守恒，即流经界面的掺杂流量和必须等于零。考虑掺杂原子在融体中的扩散（忽略在固体中的扩散），可以得到将边界条件代入且在x＝δ时C＝Cl，可以得到第13页，共47页，星期日，2025年，2月5日因此在晶体内的均匀掺杂分布（ke→1），可由高的拉晶速率和低的旋转速率获得。另外一种获得均匀分布的方法是持续不断的加入高纯度的多晶硅于融体中，使初始的掺杂浓度维持不变。第14页，共47页，星期日，2025年，2月5日悬浮区熔法悬浮区熔法（float-zone）可以生长比一般Cz法生长单晶所含有的更低杂质浓度的硅。生长的晶体主要用于高电阻率材料的器件，如高功率、高压等器件。第15页，共47页，星期日，2025年，2月5日杂质浓度为C0，L是熔融带沿着x方向的长度，A是晶棒的截面积，ρd是硅的密度，S式熔融带中所存在的掺杂剂总量。当此带移动距离dx，前进端增加的掺杂数量为C0ρdAdx，然而从再结晶出所移除的掺杂剂数量为ke(Sdx/L)，因此有：而且S0＝C0ρdAL是当带的前进端形成时的掺杂剂数量。第16页，共47页，星期日，2025年，2月5日从积分式可得或因为，因此第17页，共47页，星期日，2025年，2月5日第18页，共47页，星期日，2025年，2月5日第19页，共47页，星期日，2025年，2月5日