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2025《碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)的国内外研究文献综述》2500字.doc

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    碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)的国内外研究文献综述

    1国外研究动态

    碳化硅肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，SBD)，最早是在1975年，由?Glover.G.H报道的6H-SiCSBD，这个二极管的击穿电压ET≈200V。1985年，Yoshida基于3C-SiC制备出了击穿电压ET=8V的SBD，根据电容测量，得到其势垒高度?n=1.15±0.15eV，根据光响应测量，得到其势垒高度?n=1.11±0.03eVREF_Ref17081\w\h[6]。由Bhatnagar报道6H-SiCSBD，具有?n=400V的击穿

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