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基于掺杂HfOx薄膜的阻变效应及磁性能研究

一、引言

近年来，阻变存储器作为一种新兴的非易失性存储器件，因其在信息存储领域的应用前景，吸引了广泛的研究兴趣。而基于HfOx材料的阻变存储器则因为其出色的电学性能，被认为是一种理想的候选材料。掺杂HfOx薄膜更是其关键的技术改进手段，不仅能够增强阻变效应的强度，还能够通过调整掺杂元素的种类和浓度来调控其磁性能。因此，基于掺杂HfOx薄膜的阻变效应及磁性能的研究显得尤为重要。

二、掺杂HfOx薄膜的阻变效应

2.1阻变效应的原理

阻变效应是指材料在特定条件下表现出电阻随电压或电流的变化而变化的现象。在掺杂HfOx薄膜中，阻变效应的发生通常与薄膜中的