导模法制备β-Ga₂O₃单晶及其光学性能调控研究.docxVIP

导模法制备β-Ga?O?单晶及其光学性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从第一代的硅（Si）和锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），每一次材料的革新都极大地推动了电子技术的进步。而如今，以β-Ga?O?为代表的第四代超宽禁带半导体材料，正逐渐崭露头角，成为科研领域和产业界关注的焦点。

β-Ga?O?作为一种直接带隙的超宽禁带半导体材料，拥有许多令人瞩目的优异性能。其禁带宽度高达约4.8-4.9eV，这一数值远超过了第三代半导体材料SiC（3.2eV）和GaN（3.39eV），使其能够在高温、高压、高频等极端条件下稳定工作。与此同时，β-Ga?O?还具备高达8MV/cm的击穿场强，是硅材料的20倍，这使得基于β-Ga?O?制备的功率器件能够承受更高的电压，有效降低导通电阻，进而提高能源利用效率。相关研究表明，在新能源汽车的充电模块中，采用β-Ga?O?功率器件可将充电效率提升300%，理论充电时间缩短至7分钟，展现出了巨大的应用潜力。

在光电器件领域，β-Ga?O?同样表现出色。其260nm左右的紫外截止边和高透光率特性，使其成为深紫外探测器、日盲传感器等设备的理想材料。例如，基于β-Ga?O?的探测器能够实现200-280nm波段的高精度监测，在生物安全检测、环境监测等领域发挥着不可替代的作用。此外，β-Ga?O?还可作为GaN、ZnO等半导体的衬底材料，为相关器件的制备提供优质的基础支撑。

晶体生长技术对于β-Ga?O?材料的性能和应用起着关键的决定作用。导模法（Edge-definedFilm-fedGrowth，EFG）作为一种重要的晶体生长方法，在β-Ga?O?单晶生长中具有独特的优势。与其他生长方法相比，导模法能够精确控制晶体的形状和尺寸，生长出大尺寸的片状晶体，满足了现代半导体器件对大尺寸衬底的需求。日本NovelCrystalTechnology公司已通过导模法成功实现了2-6英寸片状β-Ga?O?晶体的生长，为β-Ga?O?材料的产业化应用奠定了坚实基础。导模法既可生长高阻晶体，也可生长导电晶体，这为β-Ga?O?在不同电学性能要求的器件中的应用提供了更多可能性。

光学性能是β-Ga?O?材料应用的关键因素之一，对其进行有效调控具有重要的科学意义和实际应用价值。通过精确控制β-Ga?O?单晶的生长过程，能够显著减少晶体中的缺陷和杂质，从而提高其光学质量，使其在光电器件中的性能得到大幅提升。采用特定的生长参数和工艺，能够有效降低晶体的位错密度，提高晶体的结晶质量，进而增强其光学性能。对β-Ga?O?进行掺杂是调控其光学性能的重要手段之一。通过掺入不同的杂质元素，如Ni、Cu等，可以引入新的能级，改变晶体的光学吸收和发射特性，为β-Ga?O?在光电器件中的多样化应用开辟新的途径。山东大学晶体材料国家重点实验室通过导模法生长了Ni掺杂β-Ga?O?单晶，发现其具有半绝缘的电学性能，且在600-800nm波段展现出宽带近红外发光特性，为β-Ga?O?在宽带近红外发光器件领域的应用提供了有力的实验依据。

综上所述，深入研究导模法β-Ga?O?单晶生长及其光学性能调控，对于推动β-Ga?O?材料在半导体领域的广泛应用具有至关重要的意义。它不仅有助于提升β-Ga?O?材料的性能和质量，还能够为开发新型高性能半导体器件提供理论支持和技术保障，进而促进新能源汽车、光通信、生物检测等众多领域的快速发展。

1.2β-Ga?O?单晶概述

β-Ga?O?晶体属于单斜晶系，空间群为C2/m，具有独特的晶体结构。其晶格常数分别为a=1.221nm，b=0.303nm，c=0.579nm，α与c的夹角约为103.8°。这种结构使其原子排列呈现出特定的周期性和对称性，为其优异性能奠定了基础。在β-Ga?O?晶体结构中，氧原子和镓原子通过离子键和共价键相互作用，形成了稳定的晶格框架。这种化学键的特性赋予了β-Ga?O?晶体较高的硬度和化学稳定性。

从基本性质来看，β-Ga?O?晶体具有诸多令人瞩目的特性。其禁带宽度高达约4.8-4.9eV，这一数值远超过了传统半导体材料，如硅（1.12eV），使得β-Ga?O?能够在高温、高压、高频等极端条件下稳定工作，为其在高性能电子器件中的应用提供了可能。β-Ga?O?还拥有高达8MV/cm的击穿场强，是硅材料的20倍，这使得基于β-Ga?O?