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第八章半导体异质节第1页，共32页，星期日，2025年，2月5日

目录第一章半导体中的电子状态第二章半导体中的杂质和缺陷第三章载流子的统计分布第四章半导体的导电性第五章非平衡载流子第六章pn结第七章金属和半导体的接触第八章半导体异质节第九章半导体中的光电现象第十章半导体中的热电形状第十一章半导体中的磁-光效应第2页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——引言第八章半导体异质结pn结是由导电性质相反的同一种半导体单晶构成，常称为同质结；用两种材料完全不同的半导体形成的pn结，则称为异质结。早在1951年就提出异质结的概念，但由于工艺的限制，一直都没有制备成可实际应用的异质结；1957年，克罗默指出异质结的注入效率远高于同质结，人们才把目光转移到异质结上；1960年利用气相外延生长成功制备了第一个异质结，并于1969年发表了异质结莱赛二极管的报告；此后，异质结在微电子学、微电子工程技术方面得到日益广泛的应用。第3页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结异质结是由两种不同的半导体单晶构成，根据这两种单晶的导电性质，把异质结分为：同型异质结:由导电类型相同的两种不同的半导体单晶形成，比如n型的Ge和n型的GaAs形成异质结，记为n-nGe-GaAs或(n)Ge-(n)GaAs；异型异质结:由导电类型相反的两种不同的半导体单晶形成，比如p型的Ge和n型的GaAs形成异质结，记为p-nGe-GaAs或(p)Ge-(n)GaAs；为方便起见，一般把禁带宽度较窄的半导体写在前边。能带图在异质结研究中起着很重要的作用。不考虑表面态时，异质结的能带图取决于两种半导体的禁带宽度、电子亲和能、功函数。第4页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结不考虑界面时的能带图：突变反型异质结的能带图p型半导体的费密能级为：n型半导体的费密能级为：当两半导体接触形成异质结后具有同一的费密能级。此时，半导体处于热平衡状态。第5页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结不考虑界面时的能带图：突变反型异质结的能带图电子从n型区流到p型区，在n型区中形成正的空间电荷区；在p型区中形成负的空间电荷区；不考虑表面态，正空间电荷数=负空间电荷数，形成内建电场；两种半导体的性质不同，其介电常数也不同，内建电场在交界面上是不连续的；内建电场的存在使空间电荷区各处出现附加电势能，使能带发生弯曲。第6页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结不考虑界面时的能带图：突变反型异质结的能带图能带总的弯曲量由真空电子能级的弯曲量决定：接触电势差是由p型和n型半导体中的内建电势差或功函数来决定的能带发生弯曲：n型半导体的上翘量为qVD2，且导带底与界面处形成尖峰；p型半导体下弯为qVD1，形成凹口；能带在界面上不连续，存在突变：第7页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结不考虑界面时的能带图：突变反型异质结的能带图能带在界面上不连续，存在突变：两种半导体在导带底的突变量为：两种半导体在价带顶的突变量为：且分别称为导带阶和价带阶，是异质结中很重要的物理量。第8页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结不考虑界面时的能带图：突变同型异质结的能带图宽禁带的半导体其费密能级较高；禁带宽度不同的半导体接触后，电子从宽禁带区向窄禁带区流动；结果在窄禁带一侧出现电子的积累层，在宽禁带一侧形成电子的耗尽层；内建电场的产生，在空间电荷区出现附加的电势能，使得能带发生弯曲；这些异质结的能带图是在1962年由安迪生根据肖克莱的pn结理论给出的，称为安迪生-肖克莱模型。第9页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结考虑界面时的能带图：形成界面态的主要原因是形成异质结的两种半导体的晶格发生失配；晶格失配度：第10页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章半导体异质结考虑界面时的能带图：晶格失配是不可避免的，在异质结形成时，在界面处会出现不饱和的悬挂键；悬挂键密度是两种半导体在交界面处的键密度之差：以金刚石为例：｛111｝是边长为的等边三角形面积为需要打断的键：2该面的键密度为：2/第11页，共32页，星期日，2025年，2月5日

——异质结的能带图第八章