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自旋极化电流注入半导体：原理、技术与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子学领域中，半导体器件一直占据着举足轻重的地位，从日常使用的电子设备到高端的信息技术系统，半导体器件无处不在，是推动现代科技进步的关键力量。随着信息技术的飞速发展，对半导体器件性能的要求也日益提高，传统的基于电荷输运的半导体器件逐渐逼近其物理极限，面临着诸如功耗高、速度慢等瓶颈问题。在此背景下，自旋电子学应运而生，为半导体器件的发展开辟了新的道路。自旋电子学是一门新兴的交叉学科，它不仅关注电子的电荷属性，更着重研究电子的自旋特性，以及如何利用这些特性来实现信息的存储、处理和传输。在自旋电子学的众多研究方向中，自旋极化电流注入半导体的研究具有至关重要的意义。

自旋极化电流在半导体器件中发挥着越来越重要的作用，尤其是在磁性存储器、自旋磁电子学等前沿领域。在磁性存储器方面，传统的存储技术面临着存储密度难以进一步提高、读写速度受限等问题。而利用自旋极化电流注入半导体来实现自旋存储，有望突破这些限制，实现更高密度、更快速度的信息存储。例如，自旋转移矩磁随机存取存储器（STT-MRAM）就是基于自旋极化电流与磁性材料的相互作用，通过自旋转移矩效应来实现磁性存储单元的状态翻转，从而实现信息的写入和读取。这种存储技术具有非易失性、高速读写、低功耗等优点，被认为是未来存储技术的重要发展方向之一。在自旋磁电子学领域，自旋极化电流注入半导体可以用于构建各种新型的自旋电子器件，如自旋场效应晶体管（Spin-FET）、自旋发光二极管（Spin-LED）等。这些器件利用电子的自旋属性来实现信号的放大、调制和发射等功能，具有独特的性能优势，有望为未来的信息技术发展带来革命性的变化。

自旋极化电流能够通过调节自旋电荷作用，实现半导体中的自旋取向控制和自旋输运，这为半导体器件的性能提升提供了新的途径。通过精确控制自旋极化电流的注入，可以实现对半导体中电子自旋状态的精准调控，从而优化半导体器件的电学、光学等性能。在自旋输运过程中，电子的自旋方向保持相对稳定，这为实现低功耗、高速的信息传输提供了可能。此外，自旋极化电流注入半导体还可以用于研究半导体中的自旋相关物理现象，如自旋轨道耦合效应、自旋弛豫过程等，这些研究不仅有助于深入理解半导体的物理性质，还为新型半导体器件的设计和开发提供了理论基础。

对自旋极化电流注入半导体进行深入研究，有助于推动半导体技术的持续发展，突破传统半导体器件的性能瓶颈，为实现高速、低功耗、高集成度的下一代电子器件奠定基础。通过探索自旋极化电流在半导体中的输运机制和自旋取向控制机制，可以为新型半导体自旋电子器件的设计和制备提供理论指导，促进自旋电子学从基础研究向实际应用的转化。此外，自旋极化电流注入半导体的研究成果还可能在量子计算、量子通信等新兴领域得到应用，为这些领域的发展提供新的技术手段，具有广阔的应用前景和巨大的潜在价值。

1.2国内外研究现状

自旋极化电流注入半导体的研究在国内外均受到广泛关注，取得了一系列具有重要价值的成果，同时也存在一些有待突破的瓶颈。

在国外，科研人员围绕自旋极化电流注入半导体展开了多方面深入研究。在材料体系探索上，如荷兰格罗宁根大学BoxuanYang、MaxenCosset-Chéneau教授团队将石墨烯与vanderWaals反铁磁体CrSBr接口化，实现了石墨烯中自旋极化的电静态调控，从高场磁输运测量中提取了石墨烯带结构的交换能量偏移，发现交换位移导致石墨烯朗道能级的能谱变化，产生了在零磁场下从-50%到+69%范围内可调的电静态自旋极化，为石墨烯在自旋电子学中的应用开拓了新方向。在自旋产生与注入机制方面，美国佛罗里达州立大学与中国科学院半导体研究所合作团队提出利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流（“手性诱导自旋选择性效应”，CISS）的方案用于在半导体中产生自旋极化，以“手性分子/半导体GaAs沟道”构建横向自旋电子器件，观察到Hanle信号，且发现Hanle信号的偏置电流依赖关系、与温度的依赖关系均遵循普适的标度律，为理解CISS机理及研制新型半导体自旋电子器件提供新思路。在器件应用研究领域，诸多团队致力于自旋相关器件研发，像自旋转移矩磁随机存取存储器（STT-MRAM）已取得显著进展，部分产品开始进入市场前期验证阶段，展现出高速读写、低功耗、高存储密度等优势，被视为未来存储领域极具潜力的技术方案。

国内在该领域也成果丰硕。厦门大学半导体研究团队提出轨道调控的拓扑自旋保护新原理，自主设计搭建强磁场分子束外延设备（HMF-MBE），生长出室温零场下本征稳定、长程有序的磁半子晶格，并成功研制拓扑自旋固态光源芯片（T-L