宽禁带半导体器件开关过程建模与特性分析：理论、方法与实践.docx

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2025-07-28 发布于上海
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宽禁带半导体器件开关过程建模与特性分析：理论、方法与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子技术的快速发展进程中，宽禁带半导体器件凭借其独特且卓越的性能优势，已然成为推动电力电子领域变革与进步的核心力量，在众多关键领域中发挥着无可替代的重要作用，展现出巨大的应用潜力和发展前景。

宽禁带半导体材料，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，具有禁带宽度大、击穿电场高、热稳定性好、电子饱和速度快以及抗辐射能力强等一系列优异的物理特性。这些特性赋予了宽禁带半导体器件在电力电子应用中诸多显著优势。以新能源汽车领域为例，采用宽禁带半导体器件的车载充电器和逆变器，能够显著提升电能转换效率，减少