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氧化锌薄膜制备方法与特性的深度剖析及应用展望

一、引言

1.1ZnO薄膜研究背景

在半导体材料的广袤领域中，ZnO薄膜凭借其独特而卓越的性能，正逐渐崭露头角，成为材料科学领域中备受瞩目的研究焦点。作为一种直接宽带隙半导体材料，ZnO在室温下展现出约3.37eV的禁带宽度，以及高达60meV的激子束缚能，这些关键参数使得ZnO在众多半导体材料中脱颖而出，具备了一系列独特的物理性质和广泛的应用潜力。

从结构角度来看，ZnO薄膜通常呈现出六方纤锌矿结构，这种晶体结构赋予了ZnO薄膜良好的热稳定性和化学稳定性。在六方纤锌矿结构中，锌和氧原子以规则的四面体配位形式排列，构建