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正电子湮没技术：解锁离子注入型半导体材料缺陷与磁性的微观密码

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技领域，半导体材料无疑是支撑众多高新技术发展的关键基础材料之一。随着信息技术、新能源技术、人工智能等前沿领域的迅猛发展，对半导体材料的性能和质量提出了愈发严苛的要求。离子注入型半导体材料作为半导体材料中的重要一员，通过将特定离子注入到半导体基体中，能够精确调控材料的电学、光学和磁学等性能，从而在集成电路、光电器件、传感器等诸多关键领域发挥着不可或缺的作用。

在集成电路制造中，离子注入技术已成为精确控制半导体器件中杂质浓度和分布的核心工艺，对于提升芯片的性能和集成度至关重要。据统计，在大规模集