第二讲传感器的基础效应.pptVIP

第30页，共55页，星期日，2025年，2月5日四、磁电效应将材质均匀的金属或半导体通电并置于磁场中产生的各种物理变化，称为磁电效应。它包括电流磁效应和狭义的磁电效应。电流磁效应是指磁场对通电的物体引起的电效应，如霍尔效应和磁阻效应；狭义的磁电效应是指物体由电场作用产生的磁化效应或由磁场作用产生的电极化效应，前者称作电致磁电效应，后者称作磁致磁电效应。第31页，共55页，星期日，2025年，2月5日1.霍尔效应置于磁场中的载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称为霍尔效应。载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用而发生偏转，从而形成电场E，当载流子受到的电场力与洛伦兹力达到动态平衡时，累积电荷形成稳定的电势UH。第32页，共55页，星期日，2025年，2月5日由得知，d越小，越大，则感生电动势越大，故一般霍尔元件是由霍尔系数很大的N型半导体材料制作的薄片，厚度微米级。a、a’——激励电极、控制电极，b、b’——霍尔电极第33页，共55页，星期日，2025年，2月5日霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。霍尔元件多采用N型半导体材料（高的电阻率和载流子的迁移率）。目前最常用的霍尔元件材料有N型锗(Ge)、N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半导体材料。封装——非磁性金属、陶瓷、环氧树脂。第34页，共55页，星期日，2025年，2月5日当一载流半导体置于磁场中，其电阻值会随磁场而变化的这种现象称为磁阻效应。在磁场作用下，半导体片内电流分布是不均匀的，改变磁场的强弱就影响电流密度的分布，故表现为半导体片的电阻变化。式中：ρ0——零磁场时的电阻率； Δρ——磁感应强度为B时电阻率的变化量； K——比例因子； μ——电子迁移率； B——磁感应强度； L，b——分别为磁敏电阻的长（沿电流方向）和宽； f(L/b)——形状效应系数。2.磁阻效应第35页，共55页，星期日，2025年，2月5日磁阻效应与材料性质及几何形状有关，一般迁移率大的材料，磁阻效应愈显著；元件的长、宽比愈小，磁阻效应愈大。与霍尔效应的区别：霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。第36页，共55页，星期日，2025年，2月5日磁敏电阻常选用锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）和锑化铌（NiSb）等半导体材料，在绝缘基片上蒸镀薄的半导体材料，也可在半导体薄片上光刻或腐蚀成型（栅状结构）。磁阻效应——磁敏电阻第37页，共55页，星期日，2025年，2月5日主要特性：磁电特性：当B0.3T时，电阻的变化率与磁场的平方成正比；当B0.3T时，成线性关系。与磁场的正负无关；温度特性：温度系数影响大；频率特性：工作频率范围大，一般为1~10MHz；磁感应的范围比霍尔元件大。第38页，共55页，星期日，2025年，2月5日3.巨磁阻效应指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在的巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。铁磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁场控制的，较小的外磁场也可以得到较大的电阻变化。第39页，共55页，星期日，2025年，2月5日五、热电效应和热释电效应1.热电效应热电效应是温差电效应的俗称。它是温差转换成电的物理效应，通常指塞贝克效应，其逆效应有帕尔贴效应和汤姆逊效应。（1）塞贝克效应（2）帕尔贴效应（3）汤姆逊效应第40页，共55页，星期日，2025年，2月5日某些晶体材料（如铁电晶体）具有自发极化现象，自发极化的大小在温度有稍许变化时就有很大的变化。温度恒定时，由自发极化产生的表面电荷吸附空气中的电荷达到平衡；材料吸收红外光后引起温度升高，极化强度会减小，单位面积的表面电荷相应减少，一部分吸附电荷被释放；若与一个电阻连成回路，电路中就会有电流产生，如图所示。这种因温度变化引起自发极化强度变化的现象被称为热释电效应。2.热释电效应第41页，共55页，星期日，2025年，2月5日当温度变化ΔT在材料各处一致时，热释电效应可以借助热释电系数p表示为：ΔP=pΔT式中