SiC功率MOSFET空间辐照效应与加固方法研究.pdfVIP

摘要

SiC功率MOSFET由于具有耐高温、导通电阻低、工作频率高以及阻断电压高等优点，

同时由于SiC具有较大的禁带宽度，其在空间辐照环境下的宇航应用中有广阔的应用前景。

然而由于SiC功率MOSFET栅氧化层相对脆弱，容易受到空间总剂量辐照效应的影响；同时

由于SiC功率MOSFET工作电压较高，容易在空间辐照环境下发生单粒子辐照效应而导致器

件失效，因此，研究SiC功率MOSFET的空间辐照效应具有重要意义。本文通过仿真揭示了

SiC功率MOSFET总剂量辐照和单粒子辐照的损伤机理，建立了总剂量辐照和单粒子辐照模

型，分析了器件抗总剂量辐照的加固方法，同时设计了器件抗单粒子辐照的加固结构。

本文首先通过TCAD仿真研究SiC功率MOSFET的总剂量辐照效应，对比了零压偏置、

栅压偏置、漏压偏置辐照前后器件电学性能的变化。通过仿真发现总剂量辐照效应对器件电

学性能的损伤主要体现在阈值电压的漂移上，击穿电压和特征导通电阻等基本不受影响。总

剂量辐照效应主要在SiC功率MOSFET栅氧化层产生陷阱正电荷，从而导致器件的阈值电压

发生漂移。针对氧化物陷阱电荷对SiC功率MOSFET造成的阈值电压损伤，建立了总剂量辐

照损伤模型来预测总剂量辐照下器件阈值电压的漂移量，同时通过仿真结果验证了所建立的

总剂量辐照模型，其准确度达到95%以上。通过优化栅氧化层工艺、栅氧化层使用高K介质

材料以及采用环形栅设计都可以增强器件抗总剂量辐照能力。

本文通过TCAD仿真研究SiC功率MOSFET的单粒子辐照响应，研究了粒子入射能量、

漏极偏置电压、P-body区局部掺杂浓度等参数对器件单粒子辐照效应的影响，明确寄生三极

管的开启是SiC功率MOSFET发生单粒子烧毁（SEB）的主要原因。根据仿真结果，构建了

SiC功率MOSFET单粒子辐照效应的小信号等效模型，以发射结电压Vbe作为判断寄生三极

管开启的依据，揭示了器件结构工艺参数、偏置条件与器件抗单粒子辐照能力的内在联系。

基于上述理论模型，在传统SiC功率MOSFET中引入浅P+埋层结构，减小空穴路径的电阻，

抑制寄生三极管开启，提升器件抗单粒子辐照能力。最终，设计了一种带有浅P+埋层的SiC

功率MOSFET器件，使得器件的单粒子烧毁阈值电压由330V提高到540V。

关键词：SiC功率MOSFET，总剂量辐照，单粒子辐照，辐照模型，抗辐照加固

Abstract

SiCpowerMOSFEThastheadvantagesofhightemperatureendurance,lowon-resistance,high

workingfrequency,andhighblockingvoltage.Atthesametime,duetothelargebandgapofSiC,it

hasawideapplicationprospectinaerospaceapplicationsunderspaceirradiationenvironment.

However,becausethegateoxidelayerofSiCpowerMOSFETisrelativelyfragile,itissusceptible

totheeffectofspacetotaldoseirradiation.Atthesametime,duetothehighworkingvoltageofSiC

powerMOSFET,itiseasytoproducesingleeventirradiationeffectinthespaceirradiation

environment,leadingtothedevicefailure.Therefore,itisofgreatsignificancetostudythespatial

irradiationeffectofSiCpowerMOSFET.Thispaperrevealedthedamagemechani