SiC功率MOSFET空间辐照效应与加固方法研究.pdfVIP

摘要

SiC功率MOSFET由于具有耐高温、导通电阻低、工作频率高以及阻断电压高等优点，

同时由于SiC具有较大的禁带宽度，其在空间辐照环境下的宇航应用中有广阔的应用前景。

然而由于SiC功率MOSFET栅氧化层相对脆弱，容易受到空间总剂量辐照效应的影响；同时

由于SiC功率MOSFET工作电压较高，容易在空间辐照环境下发生单粒子辐照效应而导致器

件失效，因此，研究SiC功率MOSFET的空间辐照效应具有重要意义。本文通过仿真揭示了

SiC功率MOSFET总剂量辐照和单粒子辐照的损伤机理，建立了总剂量辐照和单粒子辐照模

型，分析了器件抗总剂量辐照的加固方法，同时设计了器件抗单粒子辐照的加固结构。

本文首先通过TCAD仿真研究SiC功率MOSFET的总剂量辐照效应，对比了零压偏置、

栅压偏置、漏压偏置辐照前后器件电学性能的变化。通过仿真发现总剂量辐照效应对器件电

学性能的损伤主要体现在阈值电压的漂移上，击穿电压和特征导通电阻等基本不受影响。总

剂量辐照效应主要在SiC功率MOSFET栅氧化层产生陷阱正电荷，从而导致器件的阈值电压

发生漂移。针对氧化物陷阱电荷对SiC功率MOSFET造成的阈值电压损伤，建立了总剂量辐

照损伤模