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固态去耦合器

自动恢复电气参数

河南星辰科技实业有限公司

技术部：陈雯璐

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固态去耦合器在自动恢复功能下，其核心电气参数及特性如下：

一、自动恢复机制的核心电气参数

1.直流隔离电压

1.典型值：-2V/+2V（对称型），部分型号可扩展至±5V。

2.作用：作为阈值电压，当管道电位超过该范围时，固态去耦合器自动切

换至短路模式，将过电压导入接地极；过电压消失后，自动恢复至高阻抗隔离状态，确

保阴极保护电流稳定流通。

2.响应时间

1.典型值：≤1μs（纳秒级响应，优于传统火花间隙的毫秒级）。

2.作用：在雷击或故障电流引发的瞬态过电压出现时，快速导通以保护设

备；过电压消失后，迅速恢复隔离状态，避免保护电流流失。

3.漏电流

1.典型值：≤1mA（部分型号实测≤0.02mA）。

2.作用：正常工作状态下，漏电流极小，确保阴极保护系统高效运行，避

免能耗浪费。

二、与自动恢复相关的保护性能参数

1.冲击通流容量

1.10/350μs雷电流冲击：耐受电压≥10kV，通流容量≥10kA（加强型

≥20kA）。

2.8/20μs冲击电流：通流容量≥50kA。

3.作用：承受雷击或故障电流引发的瞬态过电压，保护设备免受损坏；自

动恢复后，可重复应对多次冲击。

2.稳态交流电流承载能力

1.典型值：45A（部分型号支持更高电流）。

2.作用：持续传导交流杂散电流，避免电位累积导致腐蚀；自动恢复后，

保持长期稳定运行。

3.故障电流耐受

1.AC-rms/工频/30周波：≥3500A。

2.作用：在交流故障电流（如单相接地短路）下安全泄放，防止储罐电位

骤升；自动恢复后，恢复保护功能。

三、自动恢复功能的实现原理

固态去耦合器基于半导体元件（如晶闸管、二极管、MOV等）的单向导通特性实现自

动恢复：

1.正常状态：半导体元件处于高阻抗状态，隔离直流杂散电流，允许阴极保护电

流流通。

2.过电压状态：当管道电位超过阈值电压时，半导体元件迅速导通，将瞬态大电

流导入接地极，保护设备免受高电位冲击。

3.自动恢复：过电压消失后，半导体元件因电流过零而关断，恢复高阻抗隔离状

态，确保阴极保护系统正常运行。

四、自动恢复功能的优势

1.免维护设计：无机械触点磨损，寿命长达10~20年，降低维护成本。

2.高效防护：快速响应瞬态过电压，避免设备损坏，延长储罐使用寿命。

3.稳定运行：自动恢复后，保持长期隔离和导通性能，确保阴极保护系统高效运

行。