T_CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.docxVIP

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ICS31.080CCSL40/49

团体标准

T/CASAS046—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）动态反偏（DRB）

试验方法

Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）

2024-11-19发布

该用户很懒，什么也没介绍

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