基于多维度分析的GaN HEMT器件结温在线测量方法探索与实践.docxVIP

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2025-08-08 发布于上海
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基于多维度分析的GaNHEMT器件结温在线测量方法探索与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体器件在现代电子系统中扮演着愈发关键的角色。其中，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）凭借其卓越的性能优势，成为了近年来半导体领域的研究热点。

GaNHEMT具有诸多显著优点，在电子迁移率方面，其利用AlGaN/GaN异质结界面形成的二维电子气（2DEG）具备高电子迁移率特性，电子在沟道中的移动速度更快，这使得GaNHEMT能够支持更高的工作频率和更快的开关速度，在5G通信基站的射频功率放大器中，GaNHEMT的应用有效提升了信号的传输速率和