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巨磁阻效应实验报告

基础物理实验研究性实验报告

巨磁电阻效应及其应用

基础物理实验研究性报告

摘要

本文的主要内容包括对GMR模拟传感器的磁电转换特性、GMR磁阻特性、GMR

开关（数字）传感器的磁电转换特性的测量及探究，对运用GMR模拟传感器测

量电流的探究，对GMR梯度传感器的特性探究及应用，以及磁记录与磁读出的

原理与过程。通过具体实验数据处理，进一步理解实验的原理及步骤，并作出

相应的误差分析与结果讨论。最后，对本次实验进行总结并表达感想。

关键词：GMR，传感器，实验，数据处理，总结

1.基本原理

根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和

晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的

运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加。称电子在两次散射

之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻

率低。电阻定律R=l/S中，把电阻率视为常数，与材料的几何尺度无关，这

是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自

由程约34nm），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几个

原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为0.3nm），电子在边界上的散射几率大

大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。

电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场

两种可能取向。实验证明，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁场方向平行的

电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。总电流

是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流的并联电阻，这就是所谓的两电流

模型。

下图所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反

铁磁）耦合的。施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一

致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。

无外磁场时顶层磁场方向

顶层铁磁膜

中间导电层

底层铁磁膜

无外磁场时底层磁场方向

图1多层膜GMR结构图

有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献：

其一，界面上的散射。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无

论电子的初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改

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基础物理实验研究性报告

变（平行－反平行，或反平行－平行），电子在界面上的散射几率很大，对应于

高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，电子在界面上的

散射几率很小，对应于低电阻状态。

其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子

也有一定的几率在上下两层铁磁膜之间穿行。无外磁场时，上下两层铁磁膜的

磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几

率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类自旋电流的并联电阻相

似两个中等阻值的电阻的并联，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁

磁膜的磁场方向一致，自旋平行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几

率大，两类自旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于

低电阻状态。

2.实验仪器

实验所用仪器与主要组件简介如下：

2.1实验仪主机

如图为巨磁阻实验仪系统的实验仪前面板图。

包括：

（1）输入部分

电流表部分：可做为一个独立的电流表使用。两个档位：2mA档和200mA档，可

通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流。

电压表部分：可做为一个独立的电压表使用。两个档位：2V档和200mV档，可

通过电压量程切换开关选择合适的电压档位。

（2）输出部分

恒流源部分：可变恒流源，对外提供电流

恒压源部分：提供GMR传感器工作所需的4V电源和运算放大器工作所需的±8V

电源。