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集成电路制造技术—原理与工艺（第3版）：硅片制造PPT教学课件.pptx

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    集成电路制造技术集成电路制造技术——原理与工艺

    硅衬底制备JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU

    硅片制造第一章硅片制造JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU

    1.4硅晶体中的杂质1.5切制硅片目录CONTENTS1.1硅晶体的结构特点1.2单晶硅衬底制备1.3硅晶体缺陷

    1.1单晶硅特性电学性质（室温）SiGeGaAs禁带宽度（eV）1.120.671.43禁带类型间接间接直接晶格电子迁移率（cm2/V·s）135039008600晶格空穴迁移率（cm2/V·s）4801900250本征载流子浓度（cm-3）1.4

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