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P型NiO栅极对薄势垒层GaN常关型器件阈值电压调控的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对半导体器件性能的要求日益提高。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，凭借其高电子迁移率、高击穿电场、宽带隙以及良好的高温稳定性等优异特性，在高频、高功率和高温应用领域展现出巨大的潜力，成为了当前研究的热点[1-3]。例如，在5G通信基站中，GaN器件能够实现更高的频率和功率输出，有效提升信号传输的速度和覆盖范围；在电动汽车的充电系统和电力驱动模块中，GaN器件的应用可以显著提高能量转换效率，减少设备体积和重量[4,5]。

在GaN器件的众多类型中，常关型器件因其在关断状态下能够有效截止电流，避免不必要的功耗和潜在的电路故障，在各类电子系统中具有重要的应用价值。特别是在电源管理、电机驱动等领域，常关型器件的可靠性和稳定性对于系统的正常运行至关重要。例如，在开关电源中，常关型器件能够精确控制电源的通断，实现高效的电能转换；在电机驱动电路中，常关型器件可以确保电机在需要时启动和停止，提高电机的运行效率和控制精度。

阈值电压作为常关型GaN器件的关键参数，对器件的性能和应用起着决定性作用。它不仅直接影响器件的开关特性，决定了器件在何种电压条件下能够导通和关断，还与器件的漏电流、跨导等性能指标密切相关。精确调控阈值电压可以优化器件的性能，使其更好地满足不同应用场景的需求。例如，在一些对功耗要求极高的应用中，通过合理调整阈值电压，可以降低器件在关断状态下的漏电流，从而减少能量损耗；在高频应用中，合适的阈值电压可以提高器件的开关速度，增强其在高频信号处理中的能力。

目前，实现常关型GaN器件阈值电压调控的方法众多，包括对势垒层进行刻蚀、采用离子注入技术、引入P型氮化镓（p-GaN）栅极结构等[6-8]。然而，这些传统方法存在着各自的局限性。例如，刻蚀势垒层的过程容易对器件的外延层造成离子损伤，进而影响器件的电性能和长期可靠性；离子注入技术虽然能够实现阈值电压的调整，但可能会引入额外的杂质和缺陷，增加器件的制备成本和工艺复杂度；基于p-GaN的栅极结构则容易产生较高的栅极泄漏电流，限制了器件性能的进一步提升。因此，寻找一种高效、可靠且能够有效克服传统方法弊端的阈值电压调控方案，成为了当前GaN器件研究领域亟待解决的关键问题。

P型NiO作为一种新型的栅极材料，具有独特的物理和化学性质，为常关型GaN器件阈值电压的调控提供了新的思路和方法。NiO是一种p型半导体，其功函数与GaN材料具有良好的匹配性，能够在栅极与GaN之间形成合适的界面特性，从而实现对阈值电压的有效调控。此外，NiO还具有较高的化学稳定性和热稳定性，能够在器件的制备和工作过程中保持良好的性能，有助于提高器件的可靠性和长期稳定性。研究P型NiO栅极对薄势垒层GaN常关型器件阈值电压的调控作用，不仅能够深入揭示其物理机制，为器件的优化设计提供理论依据，还具有重要的实际应用价值，有望推动GaN器件在更多领域的广泛应用，促进相关产业的发展和升级。

1.2国内外研究现状

近年来，随着GaN器件在高频、高功率领域的广泛应用，常关型GaN器件阈值电压的调控成为了国内外研究的重点。在国外，众多科研机构和企业投入了大量资源进行相关研究，取得了一系列重要成果。美国的一些研究团队通过对传统的刻蚀势垒层方法进行优化，在一定程度上减少了刻蚀过程对器件外延层的损伤。他们采用了更为精细的刻蚀工艺，如原子层刻蚀技术，能够精确控制刻蚀的深度和范围，从而降低了离子损伤的风险，在一定程度上改善了器件的电性能和可靠性。然而，这种优化后的方法仍然难以完全消除刻蚀带来的负面影响，且工艺复杂度较高，成本也相对较高。

在离子注入技术方面，欧洲的研究人员尝试通过改进注入设备和优化注入参数，来减少杂质和缺陷的引入。他们利用先进的离子束分析技术，对注入过程进行实时监测和调控，使得杂质能够更均匀地分布在器件中，从而降低了对器件性能的不利影响。但即便如此，离子注入技术依然存在着成本高昂、工艺复杂的问题，这限制了其在大规模生产中的应用。

对于p-GaN栅极结构，日本的科研人员通过对栅极结构进行创新设计，如采用多层结构的p-GaN栅极，在一定程度上降低了栅极泄漏电流。他们在传统的p-GaN栅极基础上，引入了一层或多层具有特定掺杂浓度和厚度的缓冲层，通过优化缓冲层的材料和结构参数，有效地阻挡了电子的泄漏，从而降低了栅极泄漏电流。不过，这种方法虽然在一定程度上提升了器件的性能，但并没有从根本上解决p-GaN栅极结构存在的问题，器件性能的提升仍然受到限制。

在国内，科研人