基于第一性原理的TiN表面电子结构剖析与TaN各相稳定性探究.docxVIP

基于第一性原理的TiN表面电子结构剖析与TaN各相稳定性探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，过渡族金属氮化物（TMNs）凭借其一系列优异的性能，如高强度、高硬度、耐高温、耐磨损以及良好的导电性、导热性等，受到了广泛的关注。这些卓越的性能使得过渡族金属氮化物在众多领域展现出巨大的应用潜力，例如可通过化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）等方法制备，并能与硅器件工艺兼容，因此在微电子工艺中得到了广泛应用，如作为金属栅极、扩散阻挡层等关键材料。在现代电子器件不断追求高性能、小型化的发展趋势下，对材料性能的要求愈发严苛，过渡族金属氮化物因其独特优势成为满足这一需求的理想选择之一。

TiN和TaN作为过渡族金属氮化物中的重要成员，各自具有独特的性质和重要的应用价值。TiN的功函数大约在4.5电子伏特左右，与硅的功函数接近，这一特性使其成为一种极具潜力的金属栅极候选材料，在半导体器件中，金属栅极材料的性能对器件的性能和稳定性有着至关重要的影响，TiN的应用有望提升器件的性能表现。然而，目前对于TiN不同表面的功函数、表面能等性质的全面计算分析还相对较少。不同表面的性质差异会显著影响TiN在实际应用中的性能，例如在薄膜生长过程中，表面能和功函数会影响薄膜的生长取向和质量，进而影响器件的性能。因此，深入研究TiN不同表面的性质，对于优化其在微电子器件中的应用具有重要意义。

TaN则常被用作扩散阻挡层材料，在集成电路中，随着器件尺寸的不断缩小，防止金属原子的扩散变得愈发关键，TaN能够有效地阻挡金属原子的扩散，确保器件的性能和可靠性。TaN存在多种相结构，不同相的TaN在晶体结构、电子结构以及稳定性等方面存在差异，而这些差异又会对其作为扩散阻挡层的性能产生重要影响。例如，稳定性较高的相结构在高温等恶劣环境下能够更好地保持其阻挡扩散的性能，从而保证器件的长期稳定性。因此，研究TaN各相的稳定性，对于选择最合适的TaN相用于实际应用，提高器件的性能和可靠性具有重要意义。

第一性原理计算作为一种基于量子力学原理的计算方法，无需借助任何经验参数，能够从原子和电子层面出发，深入研究材料的晶体结构、电子结构等性质。在研究TiN和TaN时，第一性原理计算可以准确地计算出它们的各种物理性质，如功函数、态密度、表面能等，为实验研究提供理论指导和预测。通过第一性原理计算，我们可以在原子尺度上理解材料的内部结构和电子行为，揭示材料性能与结构之间的内在关系，从而为材料的设计和优化提供有力的理论依据。在实验研究中，往往受到实验条件和技术手段的限制，难以全面深入地了解材料的性质，而第一性原理计算可以弥补这一不足，为材料研究提供更全面、深入的视角。因此，运用第一性原理计算方法对TiN表面电子结构及TaN各相稳定性进行研究，具有重要的理论和实际意义。

1.2国内外研究现状

1.2.1TiN表面电子结构研究进展

TiN作为一种重要的过渡族金属氮化物，其表面电子结构的研究一直是材料科学领域的热点之一。国内外众多学者运用多种理论计算和实验手段，从不同角度对TiN表面电子结构进行了深入探索。

在理论计算方面，密度泛函理论（DFT）被广泛应用于TiN表面电子结构的研究。通过DFT计算，研究者们能够获取TiN表面的功函数、态密度等关键信息。例如，有研究利用DFT计算了TiN不同表面（如(100)面、(110)面、(111)-N面、(111)-Ti面）的功函数，结果表明(111)-Ti面的功函数与实验值最为接近，而其他表面的功函数与实验值存在较大差距。这一结果为理解TiN在实际应用中与其他材料的界面相互作用提供了重要依据，因为功函数的差异会影响电子在界面处的转移，进而影响器件的性能。在态密度研究中，计算发现TiN表面的电子态分布与体相存在差异，表面原子的配位环境变化导致了表面态密度的改变。这种表面态密度的变化对TiN的表面活性和化学反应性具有重要影响，例如在催化反应中，表面态密度的分布决定了反应物分子在表面的吸附和反应活性位点。

实验研究方面，X射线光电子能谱（XPS）、扫描隧道显微镜（STM）等先进技术为直接探测TiN表面电子结构提供了有力手段。XPS能够精确测定TiN表面元素的化学态和电子结合能，从而揭示表面电子结构的变化。通过XPS分析，发现TiN表面在不同的制备条件下，氮和钛的化学态会发生改变，进而影响表面电子结构。STM则可以在原子尺度上观察TiN表面的电子云分布和原子排列，直观地展现表面电子结构的特征。有研究利用STM观察到TiN(111)表面存在原子台阶和缺陷