《数字电子技术 》课件第2章 (4).pptVIP

（4）平均功耗。CMOS电路的平均功耗为5×10-3mW，而TTL电路为10mW。所以，CMOS电路的功耗要远远小于TTL电路。

（5）扇出系数。CMOS电路驱动同类负载门的个数可以高达50个，而TTL电路仅能驱动8个同类负载门。4.CMOS电路使用常识

尽管CMOS电路的输入端均有保护电路，但这些电路吸收的瞬时能量有限，过大的干扰信号也会破坏保护电路，甚至烧坏芯片。因此，使用时应注意以下几点。

（1）注意静电防护，预防栅极击穿损坏。最好用金属容器存放和运输CMOS器件，以防止外来感应电荷将栅极击穿。焊接时，电烙铁外壳应接地。

（2）正确识别器件的输入和输出端，并正确连接它们。CMOS电路的输入端不得悬空，应该按要求接VDD（电源正极）或VSS（电源负极，通常接地）。一个集成CMOS芯片中，不用的门电路的输入端也不得悬空。（3）在连接电路和插拔电路元器件时必须切断电源，严禁带电操作。

（4）因电路输入阻抗极高，故不用的输入端不能开路，以免感应较高的电压。

（5）栅极接一电阻到地，相当于栅极为低电位，即构成低电平输入方式。【练习1】创建如图2-42所示的TTL电路和CMOS电路传输特性测试电路，并进行电路仿真和测试。

(1)改变图2-42中输入电压VI的数值，用示波器观察输出电压VO的变化(考虑接负载和不接负载两种情况)，并将两者关系用坐标曲线表示(纵坐标-VO，横坐标-VI)。

(2)接负载和不接负载测试时，有哪些异同点？2.5逻辑门电路的计算机仿真实验【练习2】将图2-42所示的TTL与非门7400换成CMOS与非门74HC00，并进行电路仿真和测试。

（1）改变输入电压VI的数值，用示波器观察输出电压VO的变化(考虑接负载和不接负载两种情况),并将两者关系用坐标曲线表示(纵坐标-VO，横坐标-VI)。

（2）接负载和不接负载测试时，有哪些异同点？

（3）比较TTL电路与CMOS电路的电压传输特性有哪些异同点。图2-42练习1图2.3.1NMOS电路

1.NMOS非门

MOS非门电路如图2-32所示。图中VN1为驱动管，VN2为负载管。当输入A为低电平时，即VGS1VTH，则VN1截止，输出F为高电平。当输入A为高电平时，VN1导通，输出为低电平。

由以上分析可知，该电路实现了非逻辑功能，即F=。图2-32NMOS非门电路2.NMOS与非门和或非门

NMOS与非门电路如图2-33(a)所示，其中VN1和VN2为驱动管，VN3为负载管。当输入A、B全为高电平时，VN1、VN2同时导通，输出F为低电平；若A、B中至少有一个为低电平，则VN1、VN2中至少有一个截止，致使输出F为高电平。因此，图2-33（a）所示电路实现了与非逻辑功能，即F=。图2-33NMOS与非门和或非门2.3.2CMOS电路

1CMOS非门

MOS非门电路如图2-34所示，其中NMOS管VN为驱动管，PMOS管VP为负载管，两管的栅极相连作输入端，两管漏极相连作输出端。

（1）当输入A为高电平时，VN导通而VP截止，于是输出F为低电平，VO=VOL≈0V。

（2）当输入A为低电平时，VP导通而VN截止，于是输出F为高电平，VO=VOH≈VDD。

由以上分析可见，该电路具有非门的逻辑功能，即F=。图2-34CMOS非门电路2.CMOS与非门和或非门

基本的CMOS与非门如图2-35(a)所示，在电路中，两个NMOS管VN1、VN2串接作为驱动管，两个PMOS管VP1、VP2并接作为负载管。输入A、B中只要有一个为低电平，两个串接的NMOS管中至少有一个截止，而两个并接的PMOS管必然有一个导通，于是输出F为高电平；当输入A、B全为高电平时，串接的VN1、VN2均导通，并接的VP1、VP2全截止，于是输出为低电平。因此，电路实现与非逻辑功能，即F=。图2-35CMOS与非门和或非门3.CMOS传输门

图2-36所示为CMOS传输门电路及逻辑符号，它由一个NMOS管VN和一个PMOS管VP并接而成，C和为两个控制端，分别连在NMOS管VN和PMOS管VP的栅极。Ａ为输入端，B为输出端。图2-36传输门电路及逻辑符号2.4.1TTL电路使用常识

1.TTL门系列电路

为满足提高工作速度及降低功耗等需要，TTL电路有多种标准化产品，尤其以54/74系列应用最为广泛。其中54系列为军品，工作温度为-55～+1