《数字与脉冲电路》第6章 半导体存储器与可编程器件.pptVIP

第1节半导体存储器二、ROM根据电路工作特点，ROM属于组合逻辑电路，给定一组输入（地址），存储器便给出一种输出（1个存储单元内容）。但就其组成而言，它和RAM又有许多相似之处，它由地址译码器、存储矩阵和输出电路等三部分组成。第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介根据存储内容写入方法，ROM分为掩模型ROM、可编程PROM、可擦除可编程ROM等。第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介1．掩模型ROM掩模ROM中的信息，是制造厂家在生产时用掩模技术写入的。双极型ROM速度较快，但功耗大，只用在速度要求较高的系统中。MOS型掩模ROM功耗小，但速度较慢。第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介1．掩模型ROM图示是用二极管构成的双极型掩模ROM。所存储数据如下表所示。W0W1W2W3A1A0A1A0A1A0A1A0字地址译码器A0A1D3D2D1D0RLRLRLRL地址数据A1A0D3D2D1D0001010011101100010111110第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介2．可编程PROMPROM所存内容是由用户根据需要自己写入的，但只能写入一次，一经写入，存储内容即被固定且不能修改。第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介2．可编程PROM为使用户能自己写入内容，厂家在生产PROM时，把存储矩阵中所有字线和位线交叉处，都跨接上串有熔丝的二极管，如图所示，这时全部基本存储单元内容均为1。用户编程时，只要给熔丝通以足够大的电流即可将熔丝烧断，从而将存储内容改写为0。熔丝一旦烧断，便无法恢复。因此，当某一位写入0后，就不能再改写为1。字线W位线D熔丝第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介3．可擦除可编程只读存储器目前使用的可擦除可编程只读存储器有以下几种：EPROM，EEPROM，FlashROM。第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介3．可擦除可编程只读存储器（1）可擦除可编程只读存储器EPROM的内容可多次修改，也可长期保存。修改时，在芯片上方的石英玻璃窗口处，用紫外线灯照射10～30分钟，芯片中原保存信息将全部丢失，然后用专用编程器写入新的内容。为使写好的信息不丢失，通常在窗口上都贴有不干胶避光纸，以防止外界紫外线照射。第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介3．可擦除可编程只读存储器（2）电擦除可编程只读存储器EEPROM又记作E2PROM，是从EPROM发展来的，它针对EPROM不能按单元修改及不能电擦除的缺点而改进。E2PROM擦除和写入实际是同一过程，擦除实为改写。改写时需要加高压电源。早期生产的E2PROM改写高压电源要外接，使用时由用户提供。现在生产的E2PROM改写高压由芯片内部自行产生，于是在使用上就基本与RAM相同了，只是写入速度较慢，无论改写1个单元，还是整片改写，所需时间均是10ms。第1节半导体存储器二、ROM（一）各类ROM简介3．可擦除可编程只读存储器（3）FlashMemory又记作FlashROM，称为闪速存储器或快闪存储器，是电擦除可编程存储器。擦写时为分区擦写（每区的字节数由生产商规定）或整片擦写。与E2PROM相比，其优点是单位体积容量大，因此，单位体积容量成本低。第1节半导体存储器二、ROM（二）用ROM实现组合逻辑函数ROM的地址译码器是由很多与门构成的阵列，称之为与阵。如果将地址译码器的地址输入看作是组合逻辑电路的输入变量，则地址译码器输出的各条字线便是全部输入变量的各个最小项。第6章半导体存储器与可编程器件第1节半导体存储器第2节可编程逻辑器件第1节半导体存储器存储器按存储介质分类，有半导体存储器、磁表面存储器、光盘存储器等。其中，半导体存储器按使用功能又分为，随机存取存储器RAM（RandomAccessMemory）和只读存储器ROM（ReadOnlyMemory）两类。第1节半导体存储器一、RAM随机存取存储器又称随机存储器、读/写存储器，是能够在存储器中任意指定位置输入（又称存入、写入），或者输出（取出、读出）信息的存储器。RAM有双极型和单极型两类。双极型RAM存取速度快，但集成度低，功耗大，成本高。单极型MOSRAM集成度高，功耗小，价格