化学气相沉积(CVD)法制备硅碳负极材料技术规范-征求意见资料.pdf

T/TMACXXX—2024

化学气相沉积(CVD)法制备硅碳负极材料技术规范

1范围

本文件规定了化学气相沉积（CVD）法制备硅碳负极材料的工艺要求、过程控制参数要求、性能要

求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于以碳材料为基底，通过化学气相沉积法沉积硅制备的硅碳复合负极材料。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T5162金属粉末振实密度的测定

GB/T5686.2锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰硅含量的测定钼蓝分光光度法、氟硅酸钾滴定

法和高氯酸重量

GB/T15909电子工业用气体硅烷

GB/T19077粒度分析激光衍射法

GB/T19587气体吸附BET法测定固态物质比表面积

GB/T34216纳米氮化硅

GB/T37051太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

GB/T42161磷酸铁锂电化学性能测试首次放电比容量及首次充放电效率测试方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

化学气相沉积chemicalvapordeposition

一种利用气态前驱体在加热的基底表面发生化学反应，生成固态沉积物（如硅）的技术。

3.2

硅碳负极材料silicon-carbonanodematerial

通过机械混合法、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等方法，在碳基体（如石墨、软碳、硬碳、碳纳米

管、石墨烯等）表面沉积硅或硅的化合物，形成的具有纳米结构特征的复合负极材料。

4工艺要求

4.1原材料要求

4.1.1碳基底材料

1

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碳基底材料应具有合适的比表面积、孔结构和导电性，以利于硅的均匀沉积和电子传输。推荐使用

人造石墨、天然石墨、软碳、硬碳、碳纳米管或石墨烯等。碳基底材料基本要求应符合表1的规定。

表1碳基底材料基本要求

项目指标要求试验方法

比表面积(m/g)²1～10BET法

固定碳含量(%)≥98燃烧法

灰分含量(%)≤0.1灼烧法

振实密度(g/cm³)0.8～1.5量筒法

4.1.2硅源气体

常用的硅源气体为硅烷（SiH₄）、二氯二氢硅（SiH₂Cl₂）或乙硅烷（Si₂H₆）。气体纯度不应低于99.999%

（V/V），硅源气体纯度应符合表2的规定。杂质含量应符合GB/T15909或相关气体纯度标准。

表2硅源气体纯度

气体名称纯度(V/V)主要杂质含量(ppm,V/V)试验方法

硅烷(SiH₄)≥99.999%O₂+Ar≤1,N₂≤1,H₂O≤1气相色谱法

二氯二氢硅(SiH₂Cl₂)≥99.999%O₂+Ar≤1,N₂≤1,HCl≤5气相色谱法

4.1