基于角分辨光电子能谱的FeSe_STO薄膜电子结构深度解析.docx

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基于角分辨光电子能谱的FeSe/STO薄膜电子结构深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

自1911年卡莫林?昂内斯(KamerlinghOnnes)发现超导现象以来,超导电性的研究一直是物理学领域的热点和难点,至今已逾百年,但热度依旧不减。早期,超导体研究主要集中于金属与合金体系,其超导转变温度较低,超导机理可用BCS理论及后续相关理论进行解释,即电子在晶格振动(声子)背景下产生间接吸引势,低于超导临界温度时,电子配对形成库珀对,宏观数量的库珀对处于同一量子基态,形成相干凝聚的宏观量子态,实现超导电性。基于BCS理论,常规超导体常压下的超导转变温度很难高于40K,即麦克米

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