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低温下氦气直流击穿特性研究

摘要

本研究聚焦于低温环境下氦气的直流击穿特性，通过搭建专业的低温气体放电实验平台，系统地测量了不同低温条件下氦气在直流电压作用下的击穿电压。深入分析了温度、气压、电极间距等因素对氦气直流击穿特性的影响规律，并结合气体放电理论对实验结果进行探讨。研究结果表明，低温会显著改变氦气的直流击穿特性，随着温度降低，击穿电压呈现上升趋势，为低温环境中涉及氦气放电的相关工程应用提供了重要的理论依据与数据支持。

一、引言

在现代科学技术的诸多领域，如低温等离子体技术、超导磁体系统中的绝缘保护、空间低温环境下的气体放电现象研究等，氦气的直流击穿特性都具有关键作用。低温环境广泛存在于深空探测、超导加速器等前沿领域，在这些低温场景中，气体的物理化学性质会发生显著变化，进而影响其放电特性。然而，目前对于低温下氦气直流击穿特性的研究仍相对较少，相关理论和实验数据不够完善。深入研究低温下氦气的直流击穿特性，有助于更好地理解低温气体放电的物理机制，为相关工程技术的优化和发展提供理论指导，因此具有重要的学术价值和实际意义。

二、实验装置与方法

（一）实验装置

搭建的低温气体放电实验平台主要由低温恒温系统、气体充放系统、直流高压电源系统和数据采集系统四部分组成。

低温恒温系统采用液氮制冷方式，可将实验环境温度稳定控制在77K-300K范围内，温度波动范围控制在±0.5K以内。该系统包含一个真空绝热的低温腔体，用于放置实验电极和容纳氦气，以保证实验过程中温度的准确性和稳定性。

气体充放系统由高纯度氦气气源、减压阀、质量流量计和真空机组组成。可精确控制氦气的充入量和气压，气压测量范围为0.1kPa-100kPa，测量精度为±0.1%。

直流高压电源系统能够提供0-50kV的稳定直流电压，电压纹波小于1%。采用高精度的电压探头和电流探头对放电过程中的电压和电流信号进行实时监测，数据采集系统以高速数据采集卡为核心，采样频率可达1MHz，能够准确记录放电过程中的各种电参数变化。

实验电极采用平行平板电极结构，电极材料为不锈钢，电极直径为50mm，表面经过抛光处理，以减小电极表面粗糙度对放电的影响。电极间距可在1mm-10mm范围内调节，调节精度为0.01mm。

（二）实验方法

在实验开始前，先对低温腔体进行抽真空处理，使腔内真空度达到10??Pa以下，以排除其他气体杂质的干扰。然后充入高纯度氦气，将气压调节至设定值，并等待一段时间，使腔内气体温度和压力达到稳定状态。

通过直流高压电源逐渐升高电压，升压速率控制为100V/s，直至氦气发生击穿。记录击穿瞬间的电压值，即击穿电压。为保证实验数据的准确性，每个实验条件下重复测量10次，取平均值作为最终的击穿电压数据。在实验过程中，依次改变温度、气压、电极间距等参数，研究各因素对氦气直流击穿特性的影响。

三、实验结果与分析

（一）温度对击穿电压的影响

在气压为10kPa，电极间距为3mm的条件下，测量了不同温度（77K-300K）下氦气的直流击穿电压。实验结果如图1所示。

从图1可以清晰地看出，随着温度的降低，氦气的直流击穿电压呈现出明显的上升趋势。在300K时，击穿电压约为2.5kV；当温度降至77K时，击穿电压升高至约4.2kV，增幅达到68%。这主要是因为低温会导致氦气分子的热运动减缓，分子间的碰撞频率降低，使得电子在气体中运动时与气体分子发生碰撞电离的概率减小，从而需要更高的电压才能使气体发生击穿。

xychart-beta

title不同温度下氦气的直流击穿电压

x-axis77K--300K

y-axis0kV--5kV

line[4.2,3.8,3.4,3.0,2.5]

（二）气压对击穿电压的影响

在温度为200K，电极间距为3mm的条件下，研究了气压在1kPa-100kPa范围内变化时氦气的直流击穿电压。实验结果如图2所示。

由图2可知，在低温（200K）下，氦气的直流击穿电压随着气压的增加先降低后升高，存在一个最小值。当气压较低时，气体分子密度较小，电子在气体中运动时与分子碰撞的机会较少，需要较高的电压才能引发足够的碰撞电离，导致击穿电压较高；随着气压升高，气体分子密度增大，碰撞电离概率增加，击穿电压降低；但当气压继续升高到一定程度后，气体分子间的距离变得非常小，电子在碰撞过程中能量损失过快，反而需要更高的电压才能使气体击穿。

xychart-beta

title不同气压下氦气的直流击穿电压（200K）

x-axis1kPa--100kPa

y-axis0kV--8kV

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