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子工业专用设备
EquipmentforElectronicProductsManufacturing半导体制造工艺与设备
硅片双面研磨过程数学模拟及分析
吴建光
(中国电子科技集团公司第四十六研究所袁天津300220)
摘要建立了双面研磨过程中硅片表面上的一点相对研磨盘的运动模型;利用数学软件袁模
拟出不同速度下的运动轨迹遥轨迹和实验结果表明袁在其他双面研磨工艺不变的情况下袁改变研
磨机4个部分(游轮片的公转速度棕研磨大盘的转速棕内齿轮转速棕和外齿轮转速棕冤的转
hpsr
速袁对硅片表面的平整度有很大的影响袁特别是边缘部分的部平整度遥优化4个转速袁可以显著
改善硅片表面的平整度和部平整度遥
关键词硅片曰双面研磨曰数学模拟曰轨迹
中图分类号TN305.2文献标志码B文章编号1004-4507(2024)04-0041-04
MathematicalSimulationandAnalysisofDouble-sided
GrindingProcessforSiliconWafers
WUJianguang
(The46thResearchInstituteofCETC，Tianjin300220，China)
Abstract:Establishedamotionmodelofapointonsiliconwafersurfacerelativetothegrindingdisc
duringthedouble-sidedgrindingprocess.Usingmathematicalsoftware，simulatemotiontrajectoriesat
differentspeeds.Thetrajectoryandexperimentalresultsindicatethat，whilekeepingtheother
double-sidedgrindingprocessesunchanged，changingthefourrecipesofthegrindingmachine(the
revolutionspeedofthecruiseplate棕，thegrindingplatespeed棕，theinternalgearspeed棕andthe
hps
externalgearspeed棕).Therotationalspeedhasasignificantimpactontheflatnessofthesiliconwafer
r
surface，especiallythelocalflatnessoftheedgeparts.Optimizingfourrotationalspeedscan
significantlyimprovethesurfacesmoothnessandlocalsmoothnessofsiliconwafers.
Keywo
初级会计持证人
专注于经营管理类文案的拟写、润色等，本人已有10余年相关工作经验，具有扎实的文案功底，尤善于各种框架类PPT文案，并收集有数百万份各层级、各领域规范类文件。欢迎大家咨询！
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