三维封装硅通孔中纳米孪晶铜填充工艺研究.pdfVIP

摘要

摘要

封装是集成电路和电子系统之间的桥梁。三维封装技术对电子产品超薄、超轻、高性能、

ThroughSiliconViaTSV

低功耗发展趋势有重要推动作用。硅通孔（，）是实现多层堆叠芯片

TSVTSV

之间信号和供电传输的垂直互连结构。因此，是三维封装的核心结构。中电流传导

主要通过占据其内部主要体积的铜柱实现。TSV中的铜柱主要由电镀工艺加工。由于高深宽

比的深孔结构，铜柱的电镀填充是TSV加工全流程中最具挑战性的工艺之一，需要满足深孔

TSVTSV

中的完全填充。尽管文献中已实现了铜的完全填充，由于铜晶粒的不稳定性，内部

TSVprotrusion

填充的铜在下游工艺的高温环境中将产生体积膨胀，导致铜在上表面的胀出（）。

胀出行为是TSV及其附近集成电路失效的原因之一。根据多篇文献报道，纳米孪晶结构的铜

可以明显减小胀出量。当前，平面上的纳米孪晶铜已被成功制备，但在高深宽比的TSV内部

进行纳米孪晶铜的填充的相关研究几乎没有报道。本文从TSV铜填充底部生长原理和纳米孪

晶铜的电化学生长原理出发，开发新型电镀药液和电镀工艺条件，得出可行的TSV纳米孪晶

铜填充方法，为解决TSV铜胀出问题提供方案。

本文首先基于实验室的实验条件设计了用于TSV电镀铜的夹具和用于TSV光刻的掩膜

版。明确了实验室电镀填充TSV的实验流程，并实验研究了TSV电镀前的工艺，如TSV的

刻蚀和薄膜沉积。接着验证了电镀实验的可重复性。利用电化学工作站验证了各类抑制剂、

整平剂、加速剂及各自浓度对电镀过程中铜生长行为的影响。并研究了氯离子对含有加速剂、

抑制剂的电镀液对电镀铜效果的影响。

接下来对盲孔TSV进行电镀。首先完善了TSV电镀的预处理方案并验证了其可靠性。

调整了TSV电镀的电流密度，并且评估改善了TSV电镀的均匀性。接着基于对添加剂效果

TSV30×36μmTSV

的研究，通过调整添加剂浓度配比，在实验室完成了低深宽比和φ的电

30×200μmTSV

镀填充。并报道了面向量产的φ电镀填充研究的初步数据。

最后明确了纳米孪晶铜电镀的实验流程和表征方法。使用电化学工作站验证了明胶作为

添加剂在电镀铜过程中的作用。微观结构分析结果表明在经过优化的电镀条件下，在平面和

30×36μmTSV

φ孔内生成了纳米孪晶铜结构。

TSV

关键词：三维封装；；电镀；添加剂；纳米孪晶铜；电化学测试

I

东南大学硕士学位论文

II

Abstract

Abstract

Packagingisthebridgebetweenintegratedcircuit