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Sn掺杂ZnO薄膜：制备工艺与光电性能的深度剖析.docx

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    Sn掺杂ZnO薄膜：制备工艺与光电性能的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今材料科学与光电器件迅猛发展的时代，半导体材料凭借其独特的电学、光学及化学性能，在众多领域发挥着举足轻重的作用，成为推动现代科技进步的关键力量。氧化锌（ZnO）作为一种直接宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有众多优异特性，使其在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。

    ZnO薄膜的晶体结构为六方纤锌矿型，这种稳定且有序的结构赋予了ZnO薄膜良好的热稳定性与化学稳定性。在光学方面，其室温下高达3.37eV的禁带宽度，以及60meV的激子束缚能，使得ZnO薄膜在紫外光区域呈现出高透明性与强吸收

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