模拟电路第4章场效应管放大电路.pptxVIP

第四章场效应管放大电路1BJT的缺点：输入电阻较低,温度特性差。场效应管(FET)：利用电场效应控制其电流的半导体器件。优点：输入电阻非常高(高达107~1015欧姆)，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，工艺简单，便于集成。根据结构不同分为：结型场效应管(JFET);绝缘栅型场效应管(MOSFET)根据沟道性质分为：N沟道;P沟道根据偏压为零时沟道能否导电分为：耗尽型，增强型场效应管工作时，只有一种极性的载流子参与导电，所以场效应管又称为单极型晶体管。

4.1结型场效应管24.1.1JFET的结构和工作原理1.结构:Ndgs高搀杂的P型区.N沟道JEFT的示意图N型导电沟道符号gds对于N沟道JEFT工作于放大状态，vGS0.vDS0g—栅极，s—源极，d—漏极

Pdgs高搀杂的N型区.P型导电沟道P沟道JEFT的示意图对于P沟道JEFT工作于放大状态，vGS0.vDS0gds符号

(1)vGS对iD的控制作用42.工作原理vGS=0VpvGS0vGS≦VP耗尽层两侧刚刚合拢，沟道全部夹断时的vGS称为夹断电压VPNPdgsNgdsNsgd先设：vDS=0

vGS对沟道的影响：5改变vGS的大小，可以有效的控制耗尽层的宽度，从而改变沟道电阻的大小。若在漏源极间加上固定的正向电压，则漏极流向源极的电流iD将受vGS的控制。对N沟道，vGS减小，沟道电阻增大，iD减小。vDS=0时，耗尽层均匀0102

6(2)VDS对iD的影响

设：vGSVP且不变vDS=0，耗尽层均匀vGSVpvGDVp：沟道呈电阻性，iD随vDS升高几乎成正比例的增加。vDS不为0时，耗尽层变成锲型。vDS增加，锲型的斜率加大。NdgsNdgs耗尽层iD

7∵vGD=vGS-vDSvDS↑，vGD↓当vGD=VP时，靠近D端两边的耗尽层相接触—预夹断。iD达到了最大值IDSS。此时：vDS=vGS-VPvDS再加大，vGDVP(vDSvGS-VP)耗尽层两边相接触的长度增加，iD基本上不随vDS的增加而上升，漏极电流趋于饱和—饱和区，恒流区。NdgsNgds预夹断夹断长度增加

84-1-2N沟道，JFET的特性曲线输出特性iD=f(vDS)|vGS=常数在该区FET可以看成一个压控电阻。特点:vGS越负，耗尽层越宽，漏源间的电阻越大，输出曲线越倾斜。iD与vDS几乎成线性关系。1区:可变电阻区0vGSVP,0vGDVp

2区：饱和区（恒流区，线性放大区）0≤vGSVp,vGDVp特点:iD随vGS下降而减少,iD受vGS的控制。vDS增加时，iD基本保持不变，成恒流特性。在该区域，场效应管等效成一个受vGS控制的恒流源。场效应管作放大器时工作在该区域。

3区：截止区vGSVP，vGDVPiD=0场效应管截止4区：击穿区

vDS太大，致使栅漏PN结雪崩击穿，FET处于击穿状态.。场效应管一般不能工作在该区域内。

11(2)转移特性曲线

iD=f(vGS)|vDS=常数表征栅源电压vGS对漏极电流的控制作用，场效应管是电压控制器件。在饱和区内，FET可看作压控电流源。转移特性方程：iD=IDSS(1-vGS/VP)2VPIDSSvGS-0.8–0.4vGS

（3）主要参数12夹断电压：VP当导电沟道刚好完全被关闭时，栅源所对应的电压vGS称为夹断电压。夹断电压与半导体的搀杂浓度有关。饱和漏电流：IDSS场效应管处于饱和区，且vGS=0时的漏极电流，对于结型场效应管，为最大工作电流。低频互导：gmgm=diD/dvGS|vDS=常数反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是转移特性曲线上，静态工作点处的斜率。

输出电阻：rd01输出电阻反映了vDS对iD的影响，是输出特性上，静态工作点处切线斜率的倒数。02在饱和区内，iD随vDS改变很小，因此rd数值很大。03最大漏源电压：V(BR)DS04最大耗散功率：PDM05

144.3金属-氧化物-半导体场效应管4.3.1N沟道增强型MOSFET金属栅极、SiO2绝缘层、半导体，构成平板电容器。MOSFET利用栅源电压的大小，来改变衬底b表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。N沟道增强型MOS管示意图N沟道增强型MOS管符号sgd衬底bPN+N+铝SiO2MOS场效应管的类型：增强型：包括N沟道和P沟道耗尽型：包括N沟道和P沟道dsgbP沟道增强型MOS管符号dsgb

151、沟道形成原理①vDS