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三氯氢硅合成工操作考核试卷及答案

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三氯氢硅合成工操作考核试卷及答案

考生姓名：答题日期：判卷人：得分：

题型

单项选择题

多选题

填空题

判断题

主观题

案例题

得分

本次考核旨在评估学员对三氯氢硅合成工操作技能的掌握程度，包括基本原理、设备操作、安全规范及应急处理等方面，确保学员能够熟练、安全地从事三氯氢硅合成工作。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.三氯氢硅的化学式为（）。

A.SiHCl3

B.SiCl4

C.SiH2Cl2

D.SiCl2H2

2.三氯氢硅合成过程中，常用的催化剂是（）。

A.铂

B.钴

C.铂/碳

D.铂/硅

3.在三氯氢硅合成反应中，氢气与氯硅烷的摩尔比通常为（）。

A.1:1

B.2:1

C.3:1

D.4:1

4.三氯氢硅合成过程中，反应温度通常控制在（）℃左右。

A.150-200

B.200-250

C.250-300

D.300-350

5.三氯氢硅合成反应中，常用的氯硅烷原料是（）。

A.二甲基二氯硅烷

B.三甲基氯硅烷

C.二甲基三氯硅烷

D.三甲基二氯硅烷

6.三氯氢硅合成过程中，反应压力通常控制在（）MPa左右。

A.0.5-1.0

B.1.0-2.0

C.2.0-3.0

D.3.0-4.0

7.三氯氢硅合成反应中，氢气过量会导致（）。

A.反应速率加快

B.产品纯度提高

C.产品中杂质含量增加

D.反应温度降低

8.三氯氢硅合成过程中，反应器内壁应保持（）。

A.干燥

B.湿润

C.光滑

D.粗糙

9.三氯氢硅合成反应中，氯硅烷的储存温度应控制在（）℃以下。

A.0-10

B.10-20

C.20-30

D.30-40

10.三氯氢硅合成过程中，反应器内氯硅烷的浓度应保持在（）%左右。

A.10-20

B.20-30

C.30-40

D.40-50

11.三氯氢硅合成反应中，氢气泄漏的检测方法主要是（）。

A.气相色谱

B.气味检测

C.火焰检测

D.紫外分光光度法

12.三氯氢硅合成过程中，反应器内压力过高可能的原因是（）。

A.反应速率过快

B.氢气泄漏

C.反应温度过高

D.氯硅烷泄漏

13.三氯氢硅合成反应中，反应器内氯硅烷的转化率通常为（）%。

A.50-60

B.60-70

C.70-80

D.80-90

14.三氯氢硅合成过程中，反应器内壁的腐蚀主要是由（）引起的。

A.氢气

B.氯硅烷

C.氯化氢

D.水蒸气

15.三氯氢硅合成反应中，氯硅烷的储存条件应避免（）。

A.阳光直射

B.高温

C.潮湿

D.静置

16.三氯氢硅合成过程中，反应器内氯硅烷的储存时间不宜超过（）天。

A.3

B.5

C.7

D.10

17.三氯氢硅合成反应中，氢气与氯硅烷的混合比通常为（）。

A.1:1

B.2:1

C.3:1

D.4:1

18.三氯氢硅合成过程中，反应器内壁的清洁主要采用（）方法。

A.化学清洗

B.物理清洗

C.真空清洗

D.水洗

19.三氯氢硅合成反应中，氯硅烷的储存容器应使用（）材料。

A.铝

B.不锈钢

C.塑料

D.玻璃

20.三氯氢硅合成过程中，反应器内壁的磨损主要是由（）引起的。

A.氢气

B.氯硅烷

C.氯化氢

D.水蒸气

21.三氯氢硅合成反应中，氯硅烷的储存温度应控制在（）℃以下。

A.0-10

B.10-20

C.20-30

D.30-40

22.三氯氢硅合成过程中，反应器内氯硅烷的浓度应保持在（）%左右。

A.10-20

B.20-30

C.30-40

D.40-50

23.三氯氢硅合成反应中，氢气泄漏的检测方法主要是（）。

A.气相色谱

B.气味检测

C.火焰检测

D.紫外分光光度法

24.三氯氢硅合成过程中，反应器内压力过高可能的原因是（）。

A.反应速率过快

B.氢气泄漏

C.反应温度过高

D.氯硅烷泄漏

25.三氯氢硅合成反应中，反应器内氯硅烷的转化率通常为（）%。

A.50-60

B.60-70

C.70-80

D.80-90

26.三氯氢硅合成过程中，反应器内壁的腐蚀主要是由（）引起的。

A.氢气

B.氯硅烷

C.氯化氢