数字罗逻辑电路与系统设计.pptVIP

2.5CMOS门电路MOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、功耗低、体积小、成品率高等优点。特别适用于中、大规模集成电路的制造，在目前数字集成电路产品中占据了相当大的比例第62页，共89页，星期日，2025年，2月5日2.5.1CMOS反相器的电路结构CMOS反相器电路图总是工作在一个导通而另一个截止的状态静态功耗极小图中驱动管T2为NMOS管,负载管T1为PMOS管,为保证电路正常工作,电源电压VDD大于两管的开启电压的绝对值之和。第63页，共89页，星期日，2025年，2月5日Vi(V)Ri(kΩ)12012当Ri小于R0ff时,输入为低电平;当Ri高于Ron时,输入为高电平。3.输出特性1拉电流拉电流负载0灌电流灌电流负载Vo(V)1.02.03.0051015-5-10-15I0(mA)拉电流情况灌电流情况1AB驱动门负载门Vo第30页，共89页，星期日，2025年，2月5日1)灌电流工作情况驱动门输出为低电平（T5管饱和，T4管截止）,负载门电流流入驱动门，流入驱动门的电流值IL取决于和驱动门相连接的负载门个数,即IL=NIIL(IIL为负载门低电平输入电流,约为1mA左右)Vo(V)1.02.03.0051015-5-10-15I0(mA)拉电流情况灌电流情况由曲线可见,对所分析的电路,当灌电流不超过16mA时,VO不超过VOLmax=0.4V。称带灌电流负载能力IOLmax=16mA第31页，共89页，星期日，2025年，2月5日一个门在低电平时能驱动同类门的最大个数为:NOL=IOLmax/IIS=16/1.1≈14(这里的IIS为输入短路电流)2)拉电流工作情况驱动门输出为高电平（T5管截止）,负载门输入电流由驱动门提供,流出驱动门的电流值IH取决于和驱动门相连接的负载门的管脚的个数,即Vo(V)1.02.03.0051015-5-10-15I0(mA)拉电流情况灌电流情况第32页，共89页，星期日，2025年，2月5日从曲线上看，当IO大于5mA时，VO才开始出现下降趋势，但决定IOHmax值的并不是VOHmax,而是器件的功耗。在上面讨论的电路中,IOHmax约为400mA。NOH=IOHmax/IIH=400/40=10IH=NIIH(IIH为负载门高电平输入电流,约为40μA左右)取min(NOL,NOH)=N定义为扇出系数则min(14,10)=10第33页，共89页，星期日，2025年，2月5日2.3.4TTL与非门的动态特性1.传输延迟时间tpd传输延迟时间指门电路的输出信号相对于输入信号的延迟时间。定义:tpd=12(tPHL+tPLH)050%50%VIVO0tPHLtPLH延迟时间导通截止一般tPLHtPHL第34页，共89页，星期日，2025年，2月5日2.电源的动态尖峰电流TTL门电路的功耗等于电源电压VCC和电源电流ICC的乘积,由于VCC=5V为定值,所以ICC的大小就能反映功耗的大小.对于上述电路,稳态时,输出为高电平时的电流ICCH≈1.1mA,输出为低电平时的电流ICCL≈3.4mA。在动态情况下,特别是当输出电平由低突然变为高的过渡过程中,在某个瞬间,会使门电路中的所有管子均导通,使电源电流出现尖峰脉冲.尖峰电流有时可达40mA。第35页，共89页，星期日，2025年，2月5日电源的动态尖峰电流引起的后果:使电源的平均电流加大.而且,工作频率越高,平均电流增加越多;2)电源的动态尖峰电流通过电源和地线的内阻,形成系统内部的噪声源。第36页，共89页，星期日，2025年，2月5日2.3.5其他类型的TTL门电路具有不同输入、输出结构的门电路除与非门外,TTL电路产品中还有各种功能的门,如或非门、异或门等。第37页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.集电极开路门(OC门)(以与非门为例说明)R1D1FVcc(5V)1.6kΩR24kΩR31kΩD2ABT1T2T5输入极中间极输出极ABF逻辑符号第38页，共89页，星期日，2025年，2月5日OC门的特点:1)实现线与功能VC