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探索石墨烯低温输运特性及层数与边界调控机制

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯，作为一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，自2004年被成功剥离以来，便因其独特的结构和优异的性能，在科学界和工业界引起了广泛关注，成为材料科学、物理学和工程学领域的研究热点。其结构的独特性在于，它是从石墨中剥离出来的单原子层碳原子排列体，厚度仅为一个碳原子的直径，约0.335纳米，是自然界中最薄的材料。这种二维蜂窝状晶格结构赋予了石墨烯许多非凡的性质。

在力学性能上，石墨烯的杨氏模量约为1TPa，断裂强度达到130GPa，比钢铁强度高数百倍，同时又具备极高的柔韧性，能够在不破裂的情况下进行大幅度的弯曲和变形，使其在航空航天、汽车工业和建筑材料等需要高强度材料的领域具有重要应用潜力。在电学性能方面，石墨烯的载流子迁移率在室温下可达20,000cm2/(V?s)，远高于传统半导体材料，电子能够在其中快速移动，几乎没有能量损失，且电导率高，能承受高电流密度，还表现出量子霍尔效应和自旋电子学特性，这使其在高频电子器件、高速电子传输以及纳米电子学领域展现出巨大的应用价值。从热学性能来看，石墨烯的热导率在室温下可达到5,000W/(m?K)，是已知导热性能最好的材料之一，在散热和热管理方面，特别是在微电子器件和高功率光电子器件中，有着广泛的应用前景，可有效解决热量积聚问题。而在光学性能上，石墨烯对光的吸收仅为2.3%，但光学透明度却非常高，还具有宽带光吸收能力，能够在从紫外到远红外的宽光谱范围内有效工作，在透明导电薄膜、光电探测器和光调制器等光电子器件中具有重要应用。

对石墨烯低温输运性质的研究具有重要的科学意义。在低温环境下，石墨烯会展现出一系列奇异的物理现象，如量子霍尔效应、Shubnikov-deHaas振荡等。以量子霍尔效应为例，当石墨烯处于低温强磁场条件下，其霍尔电阻会出现量子化的平台，这种现象为研究量子力学中的基本物理常数提供了重要的实验依据。通过深入研究这些现象，能够揭示石墨烯中电子的量子特性和相互作用机制，进一步加深对低维量子体系物理规律的理解。同时，低温输运研究还有助于探索石墨烯在极端条件下的电学性能，为开发新型量子器件奠定理论基础。

层数和边界是影响石墨烯性能的关键因素。层数的变化会显著改变石墨烯的电子结构和电学性质。单层石墨烯具有半金属特性，导电率和光学性质优异；少层石墨烯的导电率和光学性质介于单层石墨烯和石墨之间；多层石墨烯（石墨）则具有金属特性，电导率较高。通过精确调控石墨烯的层数，可以实现对其电学、光学等性能的精准调节，满足不同应用场景的需求。例如，在高速晶体管应用中，单层石墨烯因其高载流子迁移率，有望实现更高的运算速度和更低的能耗；而在某些需要较高电导率的电路连接应用中，多层石墨烯可能更为合适。

边界结构同样对石墨烯的性能有着重要影响。不同的边界结构，如锯齿型边界和扶手椅型边界，会导致石墨烯具有不同的电子态和物理性质。锯齿型边界石墨烯纳米带具有自旋极化边界态，这种特性使其在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值，例如可用于制造自旋过滤器等器件。而不同宽度扶手椅型边界石墨烯纳米带异质结存在拓扑界面态，为拓扑量子计算等领域的研究提供了新的材料体系。此外，边界的缺陷和杂质也会对石墨烯的输运性质产生影响，研究这些影响有助于优化石墨烯材料的质量和性能。

对石墨烯层数与边界进行调控，能够进一步拓展其应用领域。在电子器件领域，精确控制石墨烯的层数和边界结构，可以制备出高性能的晶体管、集成电路和传感器等。通过调控层数实现对带隙的精确控制，有望解决石墨烯零带隙的问题，使其更适合用于逻辑电路等应用。在能源存储领域，调控后的石墨烯可以作为高性能的电极材料，提高电池的能量密度和充放电速率。在复合材料领域，将层数和边界调控后的石墨烯添加到其他材料中，能够显著增强复合材料的力学性能、导电性和导热性，满足航空航天、汽车工业等对高性能材料的需求。

1.2国内外研究现状

在石墨烯低温输运性质的研究方面，国际上的研究起步较早且成果丰硕。2005年，Novoselov等人在Science上发表论文，首次报道了石墨烯中的室温量子霍尔效应，这一发现开启了石墨烯低温输运研究的新篇章。他们通过实验测量了石墨烯在低温强磁场下的霍尔电阻和纵向电阻，观察到了量子化的霍尔电阻平台和零电阻的量子霍尔态，为石墨烯的量子特性研究奠定了基础。随后，许多研究小组围绕石墨烯的量子霍尔效应展开了深入研究，包括对不同衬底上石墨烯量子霍尔效应的研究，以及对量子霍尔效应中一些特殊现象的探索。例如，研究发现衬底的性质会对石墨烯的量子霍尔效应产生影响，不同衬底与石墨烯之间的相互作用会改变石墨烯的电子结构，进而影响量子霍尔效应的