模拟CMOS集成电路分析与设计总复习.pptxVIP

CMOS模拟集成电路分析与设计——总复习（2010.12）

第一章绪论研究模拟电路的重要性模拟电路设计的难点研究AIC的重要性研究CMOSAIC的重要性电路设计一般概念抽象级别健壮性设计符号约定

1，模拟集成电路的优点高集成度、高速度、高精度、低功耗、大批量时成本低2，CMOS相对于双极工艺在模拟集成电路上的优缺点优点：输入阻抗大，加工成本低，低功耗，易于实现数模混合电路（是实现SOC较佳选择），设计自由度大（小信号特性依赖于器件尺寸和直流偏量，双极只依赖于直流偏量）123缺点：低增益，速度慢（在改善，几十GHz），噪声大（也在改善）4

01基本概念简化模型－开关结构符号02I/V特性阈值电压I-V关系式跨导03二级效应体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性04器件模型版图、电容、小信号模型等第二章MOS器件物理基础

1，MOSFET基本结构P9图2.2(包括基本结构的截面图，栅、源、漏、衬底各极，有效长度、宽度，符号等)2，MOS管源、漏的区分提供载流子的端口为源，收集载流子的端口为漏3，MOS管正常工作的基本条件所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏！4，三极管区MOS管I/V特性的推导P14~15，包括特性曲线，深三极管区特点

5，饱和区MOS管I/V特性的推导夹断点，跨导gm的三个表达式6，跨导与VDS间的关系说明为何通常使MOS管工作在饱和区7，三种二级效应描述三种效应以及对各参数的影响8，基本器件的寄生电容含包括了寄生电容的完整小信号电路9，长沟道与短沟道器件的区别

放大器基础知识01共源级—电阻做负载02共源级—二极管接法的MOS管做负载03共源级—电流源做负载04共源级－深线性区MOS管做负载05共源级－带源极负反馈06共漏级－源跟随器07共栅级08共源共栅级09第三章单级放大器

1，电阻负载的共源极大信号特性、小信号增益及其折中关系，电阻做负载的缺点012，二极管解法做负载的共源极：小信号增益及其折中关系，输入输出摆幅的求法023，电流源做负载的共源级：小信号增益及其折中关系，输出摆幅，静态工作点可不可以“目测”的判断方法，能“目测”与不能“目测”电路的特点034，带源极负反馈电阻的共源极：等效跨导，小信号增益的求法(直观)04

5，共漏极(源极跟随器)：小信号增益(直观求法)，无体效应的源极跟随器，小信号特点016，共栅极：小信号增益027，共源共栅极：大信号特性，输出摆幅，屏蔽特性，折叠式共源共栅极的大信号特性03

第四章差动放大器差分放大器简介简单差分放大器基本差分对放大器大信号差分特性大信号共模特性小信号差分特性小信号共模特性MOS管做负载的基本差分对放大器差分放大器的应用－Gilbert单元

4，基本差分对共模输入范围的求法，共模输入电平与小信号增益间的关系，小信号增益的两种求法(叠加法和半电路法)，单/双边输入与单/双边输出对增益的影响1，差动相对于单端的优点3，基本差动对大信号特性，静态2，共模电平的变化对简单差动对输出的影响5，共模抑制比

共模特性小信号特性大信号特性有源电流镜电流镜做负载的差分放大器共源共栅电流镜基本电流镜第五章无源与有源电流镜

1，基本电流镜的复制关系，L的选择，电流镜的不足2，有源负载差动对小信号增益求法(辅助定理、戴维南等效)

第六章放大器的频率特性米勒定理及利用米勒定理求解输入电阻、电容、极点等