《汽车电工与电子技术基础》课件项目6：常用半导体器件的认识与检测WORD版.pptVIP

6.6.3IGBT管的特性曲线6.6.3IGBT管的特性曲线1.IGBT管静态特性曲线伏安特性是指当为参变量时，漏极电流与漏源电压之间的关系曲线。放大区截止区击穿区饱和区（1）伏安特性6.6.3IGBT管的特性曲线（2）转移特性转移特性指输出漏极电流与栅源电压之间的关系曲线。它与MOS的转移特性相同，在低于开启电压时，IGBT管处于关断状态；IGBT导通后，很大范围随呈线性增大。关断导通6.6.3IGBT管的特性曲线（3）开关特性开关特性指的是漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系6.6.3IGBT管的特性曲线2.动态特性开通延迟时间导通过程大部分时间MOSFET运行导通后期，PNP管由放大区进入饱和区，增加了一段延迟时间。电流上升时间漏源电压的下降时间导通电压与电流波形6.6.3IGBT管的特性曲线关断时电压与电流波形关断延迟时间电压上升时间漏极电流下降时间6.6.4IGBT管的测量6.6.4IGBT管的测量1.管脚判断：有字面GDS（C）（E）6.6.4IGBT管的测量以指针式万用表为例：2.好坏判断：（1）选择R×1K档（2）三只引脚进行短接放电高阻高阻高阻IGBT正常，无击穿现象6.6.4IGBT管的测量3.导通与关断能力判断：第一次：UGS0第二次：指针摆动导通第三次:UGS0第四次：指针不动关断结论：具有导通与关断能力若以数字式万用表测量，有什么不一样？6.6.4IGBT管的测量内含阻尼二极管的IGBT管请同学们法自行总结测量方法6.6.5其他半导体器件6.6.5其他半导体器件1.光电耦合器件是一种电-光-电转换器件，实现以光为介质的电信号传输。（1）作用与结构由发光源和受光器两部分组成6.6.4IGBT管的测量6.6.5其他半导体器件（2）工作原理在输入端加上电信号，发光源发光，受光器在光照后立生光电流，由输出端引出。优点：体积小、抗干扰能力强、无触点、输入输出在电气上完全隔离、工作温度范围宽、使用寿命长等。6.6.5其他半导体器件例：光耦合开关电路UI为低电平：V1截止，发光二极管截止，光电三极管截止，C、E间的电阻很大，相当于开关“断开”UI为高电位：V1导通，发光二极管发光，光电三极管导通，CE间的电阻很小，相当于开关“闭合”。6.6.5其他半导体器件（3）光耦合器件封装与检测6.6.5其他半导体器件第一步，确定输入端与输出端。1.用数字万用表二极管挡，测量任意两引脚，若有数字显示，则表明这两个引脚为输入端且红表笔接的阳极，黑表笔所接就是阴极。余下两引脚为受光器输出端。6.6.5其他半导体器件第二步，确定好坏。输入端：红表笔接阳极，黑表笔接阴极，有数据显示。红表笔接阴极，黑表笔接阳极，显示标志“1”。输出端：红表笔接C端，黑表笔接E端，有数据显示。红表笔接E端，黑表笔接C端，显示标志“1”。7059806.6.5其他半导体器件2.霍尔元件霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。电路符号应用：霍尔式传感器将非电、非磁的物理量如力矩、压力、位置、速度、转数、转速等，转变成电量来进行检测和控制。6.6.5其他半导体器件优点:其结构牢固、体积小、重量轻，使用寿命长、安装方便、功耗小、频率高、耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾的污染与腐蚀。6.6.5其他半导体器件好坏检测:将霍尔器件接上额定电压，输出端接电压表。将磁铁由远及近靠近，则电压表电压从小到大有变化，则器件是好的。如果磁铁由远及近，电压表无变化，则器件已损坏。A（阳极）P1P2N1三个PN结N2四层半导体K（阴极）G（控制极）1.晶闸管基本结构6.5.1基本结构6.5.2工作原理6.5.2工作原理SSS断开：AK之间加正向电压，灯不亮。S断开：AK之间加反向电压，灯不亮。当控制极不加电压，AK之间不会形成通路，晶闸管截止。S断开：AK之间加正向电压，灯不亮。6.5.2工作原理SSS合上：AK之间加正向电压，灯亮；S断开：灯仍亮。S合上：AK之间加反向电压，灯不亮。晶闸管