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类石墨烯材料中谷电子输运特性与调控机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，电子器件的性能提升和小型化一直是研究的重点。随着传统半导体材料逐渐接近其物理极限，新型材料的探索与研究成为推动电子学领域进步的关键。类石墨烯材料作为一类具有独特二维结构和优异物理性质的材料，在过去几十年间吸引了全球科研人员的广泛关注。

类石墨烯材料是指在一个维度上维持纳米尺度，具有一个或几个原子层厚度，且在二维平面内具有类似碳六元环组成的二维周期蜂窝状点阵结构的材料。这类材料不仅继承了石墨烯的部分特殊性质，如高比表面积、高杨氏弹性模量、优异的导热导电性等，还展现出一些独特的物理特性，为电子学领域带来了新的机遇与挑战。例如，硅烯和锗烯具有零带隙半导体的性质，某些氮化碳纳米材料甚至具有自旋极化零带隙半导体性质。这些特性使得类石墨烯材料在未来的电子技术、通信技术、机械制造、环境保护、能源动力等各个方面拥有广泛的应用前景。

在电子学领域，类石墨烯材料的出现为解决传统半导体器件面临的诸多问题提供了可能。随着电子器件尺寸的不断缩小，传统硅基半导体材料逐渐面临着量子隧穿效应、散热困难等挑战，导致器件性能下降和能耗增加。而类石墨烯材料由于其原子级厚度和独特的电子结构，能够有效抑制量子隧穿效应，同时具备优异的热导率，有助于解决散热问题。此外，类石墨烯材料还具有高载流子迁移率，这意味着电子在其中能够快速传输，有望实现更高速度的电子器件。例如，石墨烯的电子迁移率可达2×10^5cm^2/Vs，是硅中电子迁移率的140倍，这使得石墨烯在高速电子学器件中具有巨大的应用潜力。

谷电子学作为一门新兴的学科，致力于利用电子的谷自由度来实现信息的编码、处理和存储。在类石墨烯材料中，由于其特殊的晶体结构和电子能带特性，电子的谷自由度表现出丰富的物理现象，为谷电子学的研究提供了理想的平台。通过对类石墨烯材料中谷电子输运性质的研究，我们可以深入了解电子在能谷间的散射机制、谷极化的产生与调控方法，以及谷电流的输运特性等。这些研究成果不仅有助于揭示低维材料中电子的新奇物理行为，还将为未来高性能谷电子器件的设计与开发提供理论基础。

能谷电子学的发展为解决传统电子学面临的问题提供了新的途径。传统电子学主要利用电子的电荷自由度来实现信息的传输和处理，然而，随着器件尺寸的不断缩小，电子的量子效应逐渐显现，导致功耗增加、散热困难等问题。而能谷电子学利用电子的能谷自由度，有望实现低功耗、高速、高集成度的电子器件。例如，谷电子器件可以利用能谷极化来编码信息，由于能谷极化不产生净电荷流，因此可以大大降低器件的功耗。此外，能谷电子器件还具有响应速度快、抗干扰能力强等优点，在未来的信息处理、通信、量子计算等领域具有广阔的应用前景。

研究类石墨烯的谷电子输运性质具有重要的科学意义和实际应用价值。从科学意义上讲，这一研究有助于我们深入理解低维材料中电子的量子行为和多体相互作用，拓展我们对凝聚态物理基本原理的认识。通过探索类石墨烯材料中能谷相关的物理现象，我们可以揭示电子在复杂晶体结构中的运动规律，为建立更加完善的理论模型提供实验依据。从实际应用价值来看，对类石墨烯谷电子输运的研究将为新一代电子器件的设计提供关键的理论支持。未来，基于类石墨烯材料的谷电子器件有望实现更小的尺寸、更低的功耗和更高的性能，从而推动信息技术的跨越式发展。这些器件可能应用于高速通信、高效计算、人工智能等领域，为解决实际问题提供更加有效的技术手段。

对类石墨烯的谷电子输运研究是一个具有重要科学意义和实际应用价值的课题，它不仅能够推动凝聚态物理和材料科学的发展，还将为未来电子学领域的创新提供强大的动力。

1.2类石墨烯材料概述

类石墨烯材料是对具有二维单层或者少层结构的材料的统称，通常是指在一个维度上维持纳米尺度，具有一个或几个原子层厚度，且在二维平面内具有类似碳六元环组成的二维周期蜂窝状点阵结构的材料。这类材料以其独特的原子排列方式和电子结构，展现出一系列优异的物理性质，为材料科学和电子学领域带来了新的研究方向和应用前景。

从分类上看，类石墨烯材料可大致分为两类。一类是由碳原子为基底组成含有石墨烯的二维结构，或者以这些结构为基底合成的其他结构，如富勒烯、碳纳米管、石墨炔、二维石墨烯同素异形体等。另一类是以石墨烯结构为模型，用其他原子或其他原子基团代替石墨烯的碳原子，例如硅烯、锗烯、碳化硅、氮化硼、二硫化钼等。其中，六方氮化硼（h-BN）和二硫化钼（MoS?）是研究较为广泛的类石墨烯材料。

六方氮化硼，又被称为白石墨烯，其结构与石墨烯相似，由六边形网格组成超薄平面，但其中的原子是氮原子和硼原子。在这种结构中，硼原子和氮原子通过共价键相互连接，形成稳定的二维平面。层与层之间则通过较弱的范德