SiC行业市场前景及投资研究报告:SiC全产业链拆解,新能源行业浪潮.pptxVIP

SiC行业市场前景及投资研究报告:SiC全产业链拆解,新能源行业浪潮.pptx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

SiC行业概述硅碳(SiC)是一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的电学和热学性能。SiC行业涵盖了从原材料、外延制备到器件制造的全产业链,在电力电子、新能源等领域广泛应用。未来SiC行业将受益于新能源汽车和智能电网等领域的快速发展。EWbyEttyWan

SiC材料特性及应用领域优异的电学性能SiC材料具有更大的禁带宽度、更高的绝缘击穿电场强度和更高的电子饱和漂移速度,可以实现高电压、高频率和高温环境下的高效电力电子器件。出色的热学性能SiC材料热导率高、热膨胀系数小,能够在高温条件下保持稳定的电学特性,非常适用于功率电子器件应用。坚韧的机械性能SiC材料硬度高、抗腐蚀性强,可承受恶劣环境下的机械应力和化学腐蚀,适用于军工、航天等高可靠性领域。应用广泛SiC器件广泛应用于电力电子、新能源汽车、航天航空、工业控制、消费电子等领域,为各行业带来革新性的性能提升。

SiC行业发展历程120世纪60年代SiC材料制备初现220世纪80年代SiC外延生长技术突破321世纪初SiC功率器件量产4近十年SiC技术快速进步SiC半导体材料的研究始于上世纪60年代,最初只能制备出较小尺寸的晶体。到80年代,SiC外延生长技术取得突破性进展,为SiC器件的大规模应用奠定了基础。进入21世纪初,SiC功率电子器件开始实现量产。近十年来,随着制造工艺的不断优化和关键技术的进一步突破,SiC器件的性能、可靠性和成本不断提升,在电力电子、新能源等领域的应用日益广泛。

SiC行业产业链拆解SiC材料SiC材料是整个产业链的基础,涵盖原料制备、晶体生长、外延生长等关键工艺。SiC衬底SiC衬底是SiC器件制造的关键载体,需要通过精密的切割、抛光等工艺制备而成。SiC外延外延生长是在SiC衬底上沉积高品质的SiC外延层,是实现高性能SiC器件的核心技术。SiC器件制造器件制造涉及芯片设计、光刻、离子注入、金属化等多项工艺流程,确保器件性能和可靠性。

SiC原料供给现状氮化硅原料丰富SiC的主要原料是氮化硅(Si3N4),这种材料在自然界中分布广泛,供应量充足,为SiC行业的发展奠定了基础。现有产能不足然而,高纯度SiC原料的生产工艺相对复杂,国内现有产能与不断增长的市场需求之间存在较大缺口。技术进步带来机遇随着SiC材料制备技术的不断进步,未来原料供给状况将得到改善,有望更好地满足下游产业的需求。

SiC衬底制造技术1切割与研磨SiC衬底制造始于从SiC单晶锭中切割出薄片,再经过精密的抛光工艺使表面达到光镜级平整度。2表面处理切割后的SiC衬底需经过化学刻蚀和热处理等工艺,去除表面缺陷和杂质,提高表面质量。3尺寸优化根据下游器件制造需求,SiC衬底尺寸和厚度会进行专门设计,以满足不同应用场景的要求。

SiC外延生长工艺1表面预处理对SiC衬底进行精密清洗,去除表面杂质和缺陷。2外延层沉积利用化学气相沉积(CVD)等技术,在SiC衬底上沉积高质量的外延层。3表面处理对外延层进行退火等后处理,提高结晶质量和表面光洁度。SiC外延生长是SiC器件制造的关键工艺。首先需要对SiC衬底进行精细的表面预处理,去除各种杂质和缺陷。然后通过化学气相沉积等技术在衬底上沉积高质量的SiC外延层。最后还要对外延层进行退火等后续处理,进一步提高结晶质量和表面光洁度。只有经过严格的外延生长工艺,才能制造出性能优异、可靠性高的SiC功率器件。

SiC器件制造工艺1芯片设计基于SiC材料的独特特性,进行优化的电路拓扑和器件结构设计,满足高压、高频、高温等工况要求。2光刻工艺采用先进的光刻技术在SiC外延层上精准地形成各种微米级电路图案,为后续加工奠定基础。3离子注入利用离子注入技术在SiC外延层中精确地掺杂掺杂剂,形成所需的PN结构和电极。4金属化工艺在SiC器件表面沉积金属层,实现良好的电极接触和互连,确保器件的高功率输出能力。5封装测试采用先进的封装技术,将SiC芯片与导线、衬底等组装成完整的SiC功率器件,并进行严格的测试和筛选。

SiC器件测试与可靠性性能测试对制造完成的SiC器件进行详细的电学、热学等性能测试,确保其指标达到设计要求。可靠性评估利用长时间的高温、高压等加速寿命试验,评估SiC器件在恶劣条件下的稳定性和耐受能力。失效分析对测试中出现的失效器件进行深入分析,找出失效机理并反馈到制造工艺改进中。

SiC封装与模块化技术1芯片封装采用耐高温、高导热的封装材料,保护SiC芯片免受外部环境影响。2模块集成将多个SiC功率器件集成为模块,提高功率密度和系统可靠性。3热管理设计优化热沉、散热器等设计,确保SiC模块在高功率下可靠运行。SiC器件由于其优异的电学、热学和机械性能,在功率电子领域广受青睐。但SiC器件的封装和模块化集成仍然是一大技术挑战。首先需要采用耐高温、高导

文档评论(0)

ycl4233 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档