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氧化锌基陶瓷薄膜：多元制备技术与性能特征的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体、光电器件等领域不断取得突破，对高性能材料的需求日益迫切。氧化锌基陶瓷薄膜作为一种具有优异物理性能和广泛应用前景的材料，在众多领域展现出了独特的优势。其在半导体领域的应用，为电子器件的小型化、高性能化提供了可能；在光电器件领域，能够实现高效的光电转换和光信号处理，推动了光通信、光显示等技术的进步。因此，深入研究氧化锌基陶瓷薄膜的制备及性能，对于满足这些领域不断增长的需求，推动相关技术的创新与发展具有重要意义。

氧化锌（ZnO）是一种宽禁带半导体材料，常温下禁带宽度约为3.37e