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半导体中考试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.本征半导体中，自由电子和空穴的数量关系是（）

A.自由电子多B.空穴多C.相等D.不确定

2.N型半导体中的多数载流子是（）

A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子

3.半导体二极管的主要特性是（）

A.放大特性B.单向导电性C.稳压特性D.开关特性

4.当二极管正向偏置时，其正向电阻（）

A.很大B.很小C.不变D.不确定

5.硅二极管的死区电压约为（）

A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.0.7V

6.三极管有（）个PN结。

A.1B.2C.3D.4

7.三极管处于放大状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

8.场效应管是（）控制型器件。

A.电流B.电压C.电阻D.电容

9.集成运算放大器工作在线性区的特点是（）

A.虚短和虚断B.饱和和截止C.放大倍数无穷大D.输出电压恒定

10.整流电路的作用是（）

A.将交流变直流B.将直流变交流C.放大信号D.滤波

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.以下属于半导体材料的有（）

A.硅B.锗C.铜D.铁

2.杂质半导体分为（）

A.P型半导体B.N型半导体C.本征半导体D.纯净半导体

3.二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.最高反向工作电压C.反向电流D.直流电阻

4.三极管的三个电极分别是（）

A.基极B.发射极C.集电极D.栅极

5.三极管的工作状态有（）

A.放大B.饱和C.截止D.击穿

6.场效应管的类型有（）

A.结型场效应管B.绝缘栅型场效应管C.双极型场效应管D.单极型场效应管

7.集成运算放大器的性能特点包括（）

A.高放大倍数B.高输入电阻C.低输出电阻D.共模抑制比高

8.滤波电路的常见类型有（）

A.电容滤波B.电感滤波C.π型滤波D.RC滤波

9.反馈的类型有（）

A.正反馈B.负反馈C.电压反馈D.电流反馈

10.直流稳压电源一般由（）组成。

A.电源变压器B.整流电路C.滤波电路D.稳压电路

三、判断题（每题2分，共20分）

1.本征半导体在绝对零度时没有自由电子和空穴。（）

2.P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素形成的。（）

3.二极管只要加上正向电压就一定会导通。（）

4.三极管的电流放大倍数β是固定不变的。（）

5.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻小。（）

6.集成运算放大器只能放大直流信号。（）

7.负反馈可以改善放大器的性能。（）

8.电容滤波适用于大电流负载。（）

9.串联型稳压电路中的调整管工作在放大状态。（）

10.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述本征半导体的特点。

答：本征半导体是纯净的半导体，在绝对零度时无自由电子和空穴，不导电。温度升高时，产生数量相等的自由电子和空穴，参与导电，且导电性随温度升高而增强。

2.说明二极管单向导电性的原理。

答：正向偏置时，外电场削弱内电场，多数载流子扩散运动加强，形成较大正向电流，二极管导通；反向偏置时，外电场加强内电场，多数载流子扩散受阻，只有少数载流子形成很小反向电流，二极管截止。

3.简述三极管放大作用的条件。

答：内部条件：发射区杂质浓度高，基区很薄且杂质浓度低，集电区面积大。外部条件：发射结正偏，集电结反偏，保证发射区向基区注入电子，且使基区的电子大部分被集电区收集形成集电极电流实现放大。

4.简述集成运算放大器线性应用的分析依据。

答：集成运算放大器工作在线性区时，有“虚短”（同相输入端与反相输入端电位近似相等）和“虚断”（流入同相输入端和反相输入端的电流近似为零）两个特点，这是线性应用分析的重要依据。

五、讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论半导体材料在现代电子技术中的重要性。

答：半导体材料是现代电子技术的基础，广泛用于制造各种电子器件如二极管、三极管、集成电路等。这些器件构成了计算机、通信设